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0.18μm CMOS军品级标准单元库的设计

摘要第1-13页
ABSTRACT第13-14页
第一章 绪论第14-19页
   ·课题研究背景第14页
   ·相关研究第14-16页
   ·本文的主要工作第16-17页
   ·本文的组织结构第17-19页
第二章 标准单元库设计概述第19-33页
   ·标准单元库的发展第19-20页
   ·标准单元库的特点第20-22页
   ·标准单元库的组成第22-25页
   ·标准单元库性能第25-32页
     ·设计折衷与策略第25-26页
     ·设计规范的优化第26-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 军品级标准单元库的设计第33-66页
   ·标准单元库的设计流程第33-35页
   ·标准单元库设计规范第35-42页
     ·电路设计规范第35-39页
     ·版图设计规范第39-42页
   ·电路设计及优化第42-43页
   ·版图设计及优化第43-46页
     ·欧拉图优化标准单元布局第43-44页
     ·寄生参数与互连延迟第44-45页
     ·版图设计要点第45-46页
   ·版图库生成第46-50页
     ·版图移植流程第47-48页
     ·版图移植脚本的编写第48-49页
     ·高效移植的解决方法第49-50页
   ·标准单元特征化第50-64页
     ·标准单元特征化流程第50-52页
     ·特征值种类与特征化原理第52-57页
     ·时序模型第57-58页
     ·功耗模型第58-60页
     ·仿真模型第60-61页
     ·物理模型第61-64页
   ·本章小结第64-66页
第四章 标准单元库的优化第66-82页
   ·量化驱动能力的组合单元的设计第66-70页
     ·延迟计算第67-69页
     ·功耗计算第69-70页
     ·逻辑综合结果分析第70页
   ·高性能时序单元的设计第70-81页
     ·时序单元的优化设计方法第70-72页
     ·主从结构寄存器特征化第72页
     ·基于传输门的寄存器第72-76页
     ·带输入端隔离的基于传输门的寄存器第76-78页
     ·C~2MOS寄存器第78-79页
     ·TSPC寄存器第79-81页
     ·主从结构寄存器总结第81页
   ·本章小结第81-82页
第五章 标准单元库的可靠性设计第82-95页
   ·标准单元可靠性设计概述第82页
   ·CMOS集成电路失效模式第82-91页
     ·静电放电(ESD)第82-88页
     ·电迁移第88-89页
     ·闩锁效应第89-91页
   ·标准单元可靠性设计技术第91-94页
     ·电路级可靠性设计技术第91-92页
     ·版图级可靠性设计技术第92-94页
   ·本章小结第94-95页
第六章 标准单元库的验证第95-107页
   ·设计工具应用验证第95页
   ·测试电路模拟验证第95-103页
     ·功能验证电路第95-97页
     ·工作频率测试电路第97-99页
     ·建立/保持时间测试电路第99-103页
     ·恢复/移除时间测试电路第103页
   ·测试方案第103-106页
     ·测试内容与目标第103-104页
     ·测试方法及策略第104-105页
     ·测试激励码第105-106页
   ·本章小结第106-107页
第七章 结束语第107-109页
   ·本文工作总结第107-108页
   ·未来工作展望第108-109页
致谢第109-110页
参考文献第110-113页
作者在学期间取得的学术成果第113页

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