| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结器件的起源 | 第9-11页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结HEMT 器件的特性 | 第11-12页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结HEMT 器件的发展现状 | 第12-13页 |
| ·目前的问题 | 第13-14页 |
| ·本文主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 介质层/AlGaN/GaN 异质结二维电子气的电荷控制模型 | 第16-27页 |
| ·AlGaN/GaN 二维电子气的电荷控制模型 | 第16-17页 |
| ·极化效应 | 第17-19页 |
| ·界面态因素 | 第19-25页 |
| ·界面态对能带及载流子浓度影响 | 第21-23页 |
| ·界面态对C-V 特性的影响 | 第23-25页 |
| ·C-V 特性及I-V 特性分析模型 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 离子掺杂栅介质调制实现增强型HEMT 器件 | 第27-41页 |
| ·AlGaN 势垒层掺杂实现AlGaN/GaN 增强型器件 | 第27-34页 |
| ·能带变化 | 第28-30页 |
| ·注入浓度 | 第30-32页 |
| ·注入深度及分布 | 第32-34页 |
| ·离子掺杂栅介质调制实现AlGaN/GaN 增强型器件 | 第34-40页 |
| ·SBA 介质层SBA/AlGaN/GaN 结构 | 第34-36页 |
| ·F-注入介质层 F~-Al_2O_3/AlGaN/GaNAlGaN/GaN 结构 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 低k/中k/高k 栅介质MOS HEMT 实现增强型器件 | 第41-53页 |
| ·减薄AlGaN 厚度的要求 | 第42-44页 |
| ·AlGaN 厚度对阈值电压的影响 | 第42-43页 |
| ·AlGaN 厚度对能带及2DEG 浓度的影响 | 第43-44页 |
| ·肖特基势垒的作用 | 第44-47页 |
| ·低K 介质/AlGaN/GaN 实现增强型器件 | 第47-48页 |
| ·中K 介质/AlGaN/GaN 实现增强型器件 | 第48页 |
| ·高K 介质/AlGaN/GaN 实现增强型器件 | 第48-49页 |
| ·不同k 值材料栅介质器件特性比较 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 铁电栅介质调制实现增强型器件 | 第53-62页 |
| ·铁电极化对二维电子气的影响 | 第53-54页 |
| ·铁电极化对C-V 特性的影响 | 第54-55页 |
| ·铁电极化在栅压下的反转 | 第55-58页 |
| ·低k 值铁电栅介质PVDF/AlGaN/GaN | 第58-60页 |
| ·低k 值铁电栅介质LiNbO_3/AlGaN/GaN | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士期间研究的成果 | 第69-70页 |
