| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·铁电材料 | 第11-12页 |
| ·PZT 材料简介 | 第12-13页 |
| ·GaN 和AlGaN/GaN 半导体异质结构 | 第13-16页 |
| ·铁电/半导体集成结构的研究现状 | 第16-19页 |
| ·论文的选题及研究方案 | 第19-20页 |
| 第二章 薄膜的制备及表征方法 | 第20-28页 |
| ·薄膜常用制备方法 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积系统 | 第21-22页 |
| ·薄膜微观结构表征方法 | 第22-25页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第22-24页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第24页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| ·薄膜的电学性能测试 | 第25-28页 |
| ·铁电性能测试 | 第25页 |
| ·绝缘性能测试 | 第25-26页 |
| ·电容-电压（C-V）特性测试 | 第26-28页 |
| 第三章 A1_20_3衬底上PZT 薄膜的生长及性能研究 | 第28-37页 |
| ·A1_20_3 衬底上PZT 薄膜的制备 | 第28-32页 |
| ·A1_20_3 衬底上PZT 单层薄膜的制备 | 第28-29页 |
| ·A1_20_3 衬底上MgO 缓冲制备PZT 薄膜 | 第29-31页 |
| ·沉积温度对PZT 薄膜生长的影响 | 第31-32页 |
| ·薄膜的铁电性测试 | 第32-35页 |
| ·Au/Ni/PZT/SRO/A1_20_3 铁电电容结构的铁电性 | 第32-34页 |
| ·温度对PZT 薄膜铁电性能的影响 | 第34-35页 |
| ·薄膜的绝缘性测试 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 PZT 与 AlGaN/GaN 半导体异质结的集成及性能研究 | 第37-55页 |
| ·PZT 与AlGaN/GaN 半导体异质结的集成 | 第37-41页 |
| ·AlGaN/GaN 半导体异质结上单层PZT 薄膜的生长 | 第37-38页 |
| ·MgO 缓冲作用下PZT 与AlGaN/GaN 的集成 | 第38-41页 |
| ·MFIS 结构的微细加工 | 第41-46页 |
| ·光刻流程简介 | 第41-42页 |
| ·MFIS 结构的制备 | 第42-46页 |
| ·MFS 结构电学性能 | 第46-47页 |
| ·C-V 特性 | 第46页 |
| ·I-V 特性 | 第46-47页 |
| ·MFIS 异质结构电学性能 | 第47-53页 |
| ·C-V 特性 | 第47-52页 |
| ·I-V 特性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第61-62页 |
