| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·多铁材料 | 第10-13页 |
| ·多铁氧化物材料BiFe0_3(BFO) | 第13-16页 |
| ·BFO 概述 | 第13-14页 |
| ·BFO 多铁薄膜的性能 | 第14-16页 |
| ·第三代半导体材料GaN 概述 | 第16-20页 |
| ·多铁/半导体集成薄膜研究概况 | 第20-21页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第21-23页 |
| 第二章 BFO薄膜的制备工艺及结构与性能分析方法 | 第23-33页 |
| ·BFO 薄膜脉冲激光沉积(PLD)制备方法简介 | 第23-25页 |
| ·BFO 薄膜后位微结构表征方法 | 第25-29页 |
| ·X 射线衍射分析(XRD) | 第25-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM)和压电力显微镜(PFM) | 第27-29页 |
| ·BFO 薄膜的电学性能测试 | 第29-33页 |
| ·底电极与顶电极的制备 | 第29-30页 |
| ·BFO 薄膜铁电性能的测试 | 第30-32页 |
| ·BFO 薄膜介电性能的测试 | 第32页 |
| ·BFO 薄膜绝缘性能(漏电流)的测试 | 第32-33页 |
| 第三章 蓝宝石A1203衬底上BFO薄膜的生长研究及性能测试 | 第33-48页 |
| ·STO/Ti0_2 双缓冲层对Al_20_3 基片上生长BFO 薄膜的影响 | 第34-41页 |
| ·STO/Ti0_2 双缓冲层的制备 | 第34-35页 |
| ·STO/Ti0_2 双缓冲层对BFO 薄膜生长的影响 | 第35-38页 |
| ·STO/Ti0_2 双缓冲层对BFO 薄膜性能的影响 | 第38-41页 |
| ·BFO 薄膜最佳工艺参数的探索 | 第41-46页 |
| ·氧分压对BFO 薄膜的影响 | 第41-43页 |
| ·生长温度对BFO 薄膜的影响 | 第43-46页 |
| ·小结 | 第46-48页 |
| 第四章 BFO/GaN异质结构研究 | 第48-63页 |
| ·BFO/GaN 薄膜的集成 | 第49-56页 |
| ·BFO/GaN 外延可能性分析 | 第49-50页 |
| ·在GaN 上直接生长BFO 薄膜 | 第50-52页 |
| ·在GaN 上使用STO/Ti0_2 双缓冲层生长BFO 薄膜 | 第52-56页 |
| ·GaN 基片上BFO 薄膜的性能测试 | 第56-59页 |
| ·GaN 基片上BFO 薄膜的极化性能对比 | 第56页 |
| ·BFO/STO/Ti0_2/GaN 异质结构BFO 薄膜的抗疲劳性 | 第56-57页 |
| ·BFO/STO/Ti0_2/GaN 异质结构BFO 薄膜的介电常数 | 第57-58页 |
| ·BFO/STO/Ti0_2/GaN 异质结构BFO 薄膜的绝缘性能 | 第58-59页 |
| ·BFO/STO/Ti0_2/AlGaN/GaN 异质结构性能初探 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第70-71页 |
