| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·半导体材料GaN 概述 | 第11-13页 |
| ·介电氧化物概述及介电/GaN 基半导体集成研究现状 | 第13-17页 |
| ·介电氧化物概述 | 第13-15页 |
| ·介电/半导体集成研究现状 | 第15-17页 |
| ·介电氧化物/半导体的电学性能模拟研究现状 | 第17-18页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第18-19页 |
| 第二章 电学性能表征及其理论模拟基础 | 第19-33页 |
| ·电学性能C-V 测试 | 第19-23页 |
| ·电学性能C-V 测试原理 | 第19-22页 |
| ·电学性能C-V 测试平台的搭建 | 第22-23页 |
| ·电学性能模拟的理论基础 | 第23-33页 |
| ·载流子分布及电势分布求解 | 第25-28页 |
| ·铁电层电滞回线模型的建立 | 第28-30页 |
| ·界面态模型的建立 | 第30-33页 |
| ·界面态分布模型 | 第30-31页 |
| ·界面态对体系影响的模型描述 | 第31-33页 |
| 第三章 介电氧化物/n 型GaN 异质结构的电学性能模拟 | 第33-47页 |
| ·铁电极化的调制作用 | 第34-36页 |
| ·界面层（缓冲层）厚度对MFS 器件电学性能的影响 | 第36-38页 |
| ·界面层（缓冲层）的介电常数对MFS 器件电学性能的影响 | 第38-39页 |
| ·界面态对MFS 器件性能的影响 | 第39-41页 |
| ·LiNb0_3/n 型GaN 异质结构的电学性能模拟及分析 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第四章 介电氧化物/AlGaN/GaN 异质结构的电学性能模拟 | 第47-68页 |
| ·AlGaN/GaN 的C-V 模拟及其参数提取 | 第47-51页 |
| ·A1_20_3/AlGaN/GaN MISH 结构的电学性能分析 | 第51-55页 |
| ·异质结构性能分析 | 第52-53页 |
| ·电学性能模拟研究沉积氧分压对薄膜性能的影响 | 第53-55页 |
| ·铁电/AlGaN/GaN MFSH 结构的电学性能模拟 | 第55-67页 |
| ·异质结构的器件结构和电荷分布 | 第55-56页 |
| ·铁电极化的调制作用 | 第56-58页 |
| ·铁电/AlGaN 界面层厚度对铁电/AlGaN/GaN 异质结构的影响 | 第58-60页 |
| ·界面层（缓冲层）介电常数对异质结电学性能的影响 | 第60-61页 |
| ·界面态对铁电/AlGaN/GaN 异质结构的C-V 曲线的影响 | 第61-64页 |
| ·LiNb0_3/AlGaN/GaN 异质结构的电学性能模拟及分析 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 在学期间的研究成果 | 第77-78页 |
