| 摘 要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 第一章 综述 | 第13-32页 |
| ·古斯-汉欣（Goos-H?nchen）位移概述 | 第13-15页 |
| ·研究古斯-汉欣位移的方法 | 第15-22页 |
| ·stationary phase 方法 | 第15-20页 |
| ·高斯光束下的GH 位移 | 第20-22页 |
| ·基于Fabry-Perot 共振模的振荡场传感器 | 第22-23页 |
| ·本文的研究目的、内容及创新之处 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-32页 |
| 第二章 衰减全反射原理 | 第32-64页 |
| ·分析转移矩阵理论 | 第32-36页 |
| ·在光波导中转移矩阵的建立 | 第32-34页 |
| ·模式本征方程 | 第34-36页 |
| ·表面等离子波 | 第36-40页 |
| ·表面等离子波存在条件 | 第36-38页 |
| ·表面等离子波的损耗特性 | 第38-39页 |
| ·表面等离子波的实验激发 | 第39-40页 |
| ·金属薄膜结构 | 第40-48页 |
| ·模式本征方程 | 第40-43页 |
| ·模式损耗特性 | 第43-46页 |
| ·长程表面等离子波的激发 | 第46-48页 |
| ·长程表面波场的增强效应 | 第48页 |
| ·泄漏波导 | 第48-55页 |
| ·棱镜—波导耦合系统及其工作原理 | 第49-51页 |
| ·棱镜—波导耦合系统的色散方程 | 第51-54页 |
| ·传播常数的变化 | 第54-55页 |
| ·内在损耗和辐射损耗 | 第55-62页 |
| ·四层结构中的内在损耗和辐射损耗公式的推导 | 第55-59页 |
| ·表面等离子波激发时的内在损耗和辐射损耗 | 第59页 |
| ·内在损耗和辐射损耗在反射率中的体现和应用 | 第59-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |
| 第三章 stationary phase 方法分析古斯－汉欣位移 | 第64-80页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·两层介质结构中的古斯－汉欣位移 | 第65-70页 |
| ·从右手介质入射到左手介质上的GH 位移 | 第65-67页 |
| ·从左手介质入射时的GH 位移 | 第67-70页 |
| ·四层右手介质结构上的古斯－汉欣位移 | 第70-73页 |
| ·几种古斯－汉欣位移增强效应 | 第73-78页 |
| ·布儒斯特角处的古斯－汉欣位移 | 第73-75页 |
| ·弱吸收介质平板上的古斯－汉欣位移 | 第75-76页 |
| ·覆盖薄膜全反射结构上的古斯－汉欣位移 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第四章 共振模引起的古斯-汉欣位移 | 第80-109页 |
| ·无吸收时导波共振引起的古斯－汉欣位移 | 第80-82页 |
| ·有吸收时导波共振引起的古斯－汉欣位移 | 第82-97页 |
| ·stationary phase 方法推导出的近似公式 | 第82-85页 |
| ·stationary phase 方法的计算结果 | 第85-89页 |
| ·高斯光束下的数值计算结果 | 第89-91页 |
| ·高斯光束下的反射光场分布 | 第91-95页 |
| ·入射光束宽度对结果的影响 | 第95-97页 |
| ·表面等离子波共振引起的古斯－汉欣位移 | 第97-101页 |
| ·长程表面等离子波共振引起的古斯－汉欣位移 | 第101-106页 |
| ·stationary phase 方法的计算结果 | 第101-105页 |
| ·高斯光束下的数值计算结果 | 第105-106页 |
| ·小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第五章 符号同时相反的TE、TM 的古斯-汉欣位移 | 第109-124页 |
| ·基于FP 共振腔的符号同时相反的TE、TM 的古斯-汉欣位移 | 第109-112页 |
| ·自由空间耦合技术 | 第112-114页 |
| ·亚毫米尺度双面金属包覆波导中的超高阶导模及其特性 | 第114-117页 |
| ·基于双面金属波导的符号同时相反的TE、TM 的古斯-汉欣位移 | 第117-122页 |
| ·TE 和TM 模共振角度近似重合的实现 | 第117-119页 |
| ·stationary phase 方法的计算结果 | 第119-121页 |
| ·高斯光束下的数值计算结果 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-124页 |
| 第六章 基于Fabry-Perot 共振模的振荡场传感器 | 第124-144页 |
| ·迅衰场传感器 | 第124-128页 |
| ·TIR（全内反射）传感器 | 第124-125页 |
| ·SPR 传感器 | 第125-127页 |
| ·Leakymode（泄漏模）传感器 | 第127-128页 |
| ·迅衰场传感器小结 | 第128页 |
| ·振荡场传感器--Fabry-Perot 共振模传感器 | 第128-130页 |
| ·两类传感器的灵敏度比较与分析 | 第130-137页 |
| ·传感器的检测机理 | 第130-132页 |
| ·灵敏度比较与分析 | 第132-137页 |
| ·实验结果 | 第137-141页 |
| ·F-P 传感器的其他应用 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-144页 |
| 第七章 总结及展望 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146-147页 |
| 攻读博士学位期间取得的科研成果 | 第147-148页 |
| 学位论文原创性声明 | 第148-149页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第149页 |
