| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 特种SOI及其在射频电路中的应用综述 | 第9-23页 |
| ·通信市场的需求和技术的推动 | 第9-10页 |
| ·RF电路发展面临的挑战 | 第10-15页 |
| ·SOI RF CMOS技术的优势 | 第10-11页 |
| ·MMIC基本无源元件 | 第11-13页 |
| ·SOI对射频电路中无源器件性能的提高 | 第13-15页 |
| ·SOI新结构的发展及应用 | 第15-21页 |
| ·SOI新材料和新结构的发展 | 第15-19页 |
| ·SOI新的应用 | 第19-21页 |
| ·本文主要工作 | 第21-23页 |
| 第二章 高阻SOI材料的制备及表征 | 第23-40页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·不同剂量HRSOI材料的制备 | 第23-34页 |
| ·注入参数和退火工艺 | 第24页 |
| ·高剂量高阻SOI样品的结构分析和讨论 | 第24-27页 |
| ·低剂量高阻SOI材料的制备和分析 | 第27-32页 |
| ·低剂量高阻SOI材料的制备条件优化 | 第32-34页 |
| ·不同氧化埋层的高阻SOI电学性能研究 | 第34-39页 |
| ·DLTS结果 | 第34-36页 |
| ·Pseudo-MOSFET结果 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 含WSI_(x(1＜x＜2))埋层的GPSOI新结构研究 | 第40-48页 |
| ·引言 | 第40-41页 |
| ·GPSOI新结构的制备 | 第41-42页 |
| ·结果和讨论 | 第42-46页 |
| ·GPSOI实验串扰传输线结构设计 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 特种SOI衬底上的无源器件研究 | 第48-73页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·共面波导传输线损耗特性研究 | 第48-55页 |
| ·共面波导结构 | 第48-49页 |
| ·影响CPW线传输损耗的因素 | 第49-51页 |
| ·不同材料上共面波导线的损耗特性研究 | 第51-55页 |
| ·高阻HRSOI和SOG衬底上的共面波导 | 第55-60页 |
| ·共面波导的制备 | 第55-56页 |
| ·HRSOI和SOG上CPW的损耗和讨论 | 第56-60页 |
| ·SOI和SOG衬底上微带电感的研究 | 第60-71页 |
| ·微带电感的制备 | 第60-65页 |
| ·SOI衬底和SOG衬底螺旋电感的测试结果分析 | 第65-69页 |
| ·高阻SOI中界面电荷对电感性能的影响 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章 一维SnO2纳米结构的研究 | 第73-98页 |
| ·引言 | 第73-77页 |
| ·一维氧化锡纳米结构的制备 | 第77-81页 |
| ·一维SnO_2纳米结构的光学特性表征 | 第81-90页 |
| ·一维SnO_2纳米结构的可见／紫外吸收谱 | 第81-82页 |
| ·一维SnO_2纳米结构光致发光研究 | 第82-83页 |
| ·温度对一维SnO_2纳米结构的光致发光影响 | 第83-86页 |
| ·不同气氛下退火对SnO_2纳米线的PL特性影响 | 第86-90页 |
| ·SNO_2场发射特性研究 | 第90-96页 |
| ·SnO_2纳米棒和纳米线的真空场发射特性 | 第90-92页 |
| ·表面态对SnO_2纳米棒的真空场发射特性的影响 | 第92-96页 |
| ·本章小结 | 第96-98页 |
| 第六章 全文结论 | 第98-102页 |
| 参考文献 | 第102-118页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第118-122页 |
| 致谢 | 第122-124页 |
| 个人简历 | 第124-125页 |
| 学位论文独创性声明 | 第125页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第125页 |