| 第一章 绪论 | 第1-17页 |
| ·概述 | 第7-8页 |
| ·ZnO 的结构特性 | 第8-9页 |
| ·ZnO 薄膜的制备与技术开发 | 第9-12页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第10页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第10-11页 |
| ·金属有机物汽相外延(MOCVD) | 第11页 |
| ·喷射热分解技术 | 第11-12页 |
| ·化学溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第12页 |
| ·ZnO 薄膜的基本性质 | 第12-14页 |
| ·ZnO 薄膜的光电性质 | 第12-13页 |
| ·ZnO 薄膜的压电性质 | 第13页 |
| ·ZnO 薄膜的气敏性质 | 第13页 |
| ·ZnO 薄膜的压敏性质 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜的基本应用 | 第14-16页 |
| ·透明导电膜 | 第14页 |
| ·紫外光探测器 | 第14-15页 |
| ·异质结的N 极 | 第15页 |
| ·表面声波器件(SAW) | 第15页 |
| ·光波导器件 | 第15-16页 |
| ·本文研究的目的及内容 | 第16-17页 |
| 第二章 脉冲激光沉积(PLD)薄膜生长实验 | 第17-27页 |
| ·激光脉冲沉积(PLD)概述 | 第17-18页 |
| ·PLD 技术的基本原理及物理过程 | 第18-20页 |
| ·激光与靶相互作用及等离子体的气化、产生及膨胀 | 第18-19页 |
| ·激光等离子体与基片表面的相互作用 | 第19-20页 |
| ·在衬底表面凝结成膜 | 第20页 |
| ·PLD 技术的特点 | 第20-21页 |
| ·PLD 技术的优点 | 第20-21页 |
| ·PLD 技术的缺点 | 第21页 |
| ·PLD 发展前景 | 第21-22页 |
| ·实验设备简述 | 第22页 |
| ·薄膜制备中的工艺条件对薄膜生长的影响 | 第22-23页 |
| ·ZnO 薄膜制备 | 第23-25页 |
| ·实验材料 | 第24页 |
| ·实验方案 | 第24-25页 |
| ·ZnO 薄膜生长过程 | 第25-27页 |
| 第三章 脉冲激光沉积ZnO 薄膜组织结构及发光性能 | 第27-55页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·激光能量密度对ZnO 薄膜形成的影响 | 第27-33页 |
| ·激光能量密度对ZnO 薄膜结构(XRD)的影响 | 第28-29页 |
| ·激光能量密度对ZnO 薄膜组织(SEM)的影响 | 第29-33页 |
| ·氧气压力对ZnO 薄膜形成的影响 | 第33-43页 |
| ·氧气压力对ZnO 薄膜结构(XRD)的影响 | 第33-34页 |
| ·氧气压力对ZnO 薄膜组织(SEM)的影响 | 第34-38页 |
| ·氧气压力对ZnO 薄膜photoluminescence(PL)的影响 | 第38-43页 |
| ·基体温度对ZnO 薄膜形成的影响 | 第43-55页 |
| ·基体温度对ZnO 薄膜结构(XRD)的影响 | 第43-45页 |
| ·基体温度对ZnO 薄膜组织的影响 | 第45-52页 |
| ·基体温度对ZnO 薄膜photoluminescence(PL)的影响 | 第52-55页 |
| 第四章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 摘要 | 第62-64页 |
| ABSTRACT | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
