| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| §1.1 低维半导体材料 | 第10页 |
| §1.2 低维半导体材料的制备方法 | 第10-11页 |
| §1.3 低维半导体材料器件 | 第11-13页 |
| §1.4 本论文的研究工作 | 第13-14页 |
| 第二章 对称双量子阱氢施主杂质电子态研究 | 第14-21页 |
| §2.1 引言 | 第14页 |
| §2.2 理论模型 | 第14-16页 |
| §2.2.1 打靶法 | 第14-16页 |
| §2.2.2 变分法 | 第16页 |
| §2.3 数值计算与结果分析 | 第16-20页 |
| §2.3.1 势能与电场的关系 | 第17-18页 |
| §2.3.2 氢施主杂质束缚能与施主位置的关系 | 第18页 |
| §2.3.3 施主位置不同时的波函数 | 第18-19页 |
| §2.3.4 氢施主杂质束缚能与中间势垒层 Al 组份含量的关系 | 第19页 |
| §2.3.5 氢施主杂质束缚能与中间势垒层宽度的关系 | 第19-20页 |
| §2.3.6 氢施主杂质束缚能与量子阱宽度的关系 | 第20页 |
| §2.4 结论 | 第20-21页 |
| 第三章 双量子线氢施主杂质电子态研究 | 第21-28页 |
| §3.1 引言 | 第21页 |
| §3.2 理论模型 | 第21-23页 |
| §3.3 数值计算与结果分析 | 第23-27页 |
| §3.3.1 束缚能与施主位置的关系 | 第24-25页 |
| §3.3.2 施主位置不同时的波函数 | 第25页 |
| §3.3.3 施主杂质束缚能与量子线直径的关系 | 第25-26页 |
| §3.3.4 施主杂质束缚能与量子线势垒宽度关系 | 第26页 |
| §3.3.5 施主杂质束缚能与外加电场的关系 | 第26-27页 |
| §3.4 结论 | 第27-28页 |
| 第四章 球形量子点氢施主杂质电子态的研究 | 第28-32页 |
| §4.1 引言 | 第28页 |
| §4.2 理论模型 | 第28-29页 |
| §4.3 数值计算与结果分析 | 第29-31页 |
| §4.3.1 束缚能与施主位置关系 | 第29-30页 |
| §4.3.2 施主位置不同时的波函数 | 第30页 |
| §4.3.3 施主杂质的前四个能级与量子点直径的关系 | 第30-31页 |
| §4.3.4 氢施主杂质束缚能与量子点直径的关系 | 第31页 |
| §4.4 结论 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-36页 |
| 在校期间完成的论文 | 第36-37页 |
| 致谢 | 第37页 |
