| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引论 | 第9-12页 |
| ·低维半导体光电子器件的发展趋势 | 第9-10页 |
| ·低维半导体光电子器件对光通信的影响 | 第10页 |
| ·低维半导体光电子器件在光通信中的应用 | 第10-12页 |
| ·低维半导体材料结构 | 第12-14页 |
| ·低维半导体材料的电子结构 | 第12-13页 |
| ·低维半导体材料的性质和杂质的控制 | 第13-14页 |
| ·低维半导体量子阱结构中电子态的计算方法 | 第14-20页 |
| ·有限深势阱 | 第14-15页 |
| ·打靶法 | 第15-17页 |
| ·有效质量包络函数理论 | 第17-18页 |
| ·变分法 | 第18-20页 |
| ·本论文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 半导体量子阱中氢施主杂质的电子态 | 第21-27页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·理论计算 | 第21-23页 |
| ·计算结果与讨论 | 第23-26页 |
| ·氢施主杂质的基态能量与量子阱宽度的关系 | 第23-24页 |
| ·氢施主杂质的束缚能与量子阱宽度的关系 | 第24-25页 |
| ·氢施主杂质的束缚能与量子阱中施主杂质位置的关系 | 第25-26页 |
| ·结论 | 第26-27页 |
| 第三章 外加电场对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态的影响 | 第27-34页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·理论计算 | 第27-28页 |
| ·计算结果与讨论 | 第28-33页 |
| ·氢施主杂质的束缚能与外加电场的关系 | 第29-30页 |
| ·氢施主杂质的束缚能与施主杂质位置的关系 | 第30-31页 |
| ·氢施主杂质的束缚能与 Ga、As 组份的关系 | 第31-33页 |
| ·结论 | 第33-34页 |
| 第四章 磁场对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态的影响 | 第34-40页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·理论计算 | 第34-35页 |
| ·计算结果与讨论 | 第35-39页 |
| ·阶梯阱宽为 50 时的导带势和基态电子波函数 | 第35-36页 |
| ·氢施主杂质的束缚能能与杂质的位置、外磁场的关系 | 第36-37页 |
| ·阶梯阱宽为 200 时的导带势和基态电子波函数 | 第37页 |
| ·氢施主杂质的束缚能与杂质的位置、Ga 和 As 的组份的关系 | 第37-38页 |
| ·氢施主杂质的束缚能与外磁场、阶梯阱宽的关系 | 第38-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 在校期间的研究成果及发表的学术论文 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |