| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| §1.1 国内外研究发展概况 | 第10-17页 |
| §1.2 论文内容安排 | 第17-19页 |
| 第二章 应变及流体静压力对半导体材料物理参数的影响 | 第19-25页 |
| §2.1 Ⅲ-Ⅴ族材料 | 第19-21页 |
| §2.2 Ⅱ-Ⅵ族材料 | 第21-25页 |
| 第三章 静压下Ⅲ-Ⅴ族半导体Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结中电子的迁移率 | 第25-37页 |
| §3.1 理论模型 | 第25-30页 |
| §3.2 结果与讨论 | 第30-35页 |
| §3.3 结论 | 第35-37页 |
| 第四章 Ⅱ-Ⅵ族半导体ZnSe/Zn_(1-x)Cd_xSe应变异质结中电子的本征态及其压力效应 | 第37-49页 |
| §4.1 压力对电子本征态的影响 | 第37-42页 |
| §4.2 组分的改变对电子本征态的影响 | 第42-45页 |
| §4.3 电子面密度的改变对电子本征态的影响 | 第45-49页 |
| 第五章 静压下Ⅱ-Ⅵ族半导体Znse/Zn_(1-x)Cd_xSe应变异质结中电子的迁移率 | 第49-60页 |
| §5.1 理论模型 | 第49-52页 |
| §5.2 结果与讨论 | 第52-59页 |
| §5.3 结论 | 第59-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读学位期间发表和完成的论文 | 第72页 |
