| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| ·应用背景 | 第7页 |
| ·主要研究成果 | 第7-9页 |
| ·主要研究内容 | 第9-10页 |
| 第二章 高温CMOS模拟集成电路的设计规则 | 第10-24页 |
| ·零温度系数点存在的条件 | 第10-13页 |
| ·零温度系数点的栅压 | 第13-16页 |
| ·偏置在零温度系数点的MOS管的小信号参数 | 第16-19页 |
| ·高温CMOS模拟集成电路的设计规则 | 第19-24页 |
| 第三章 高温CMOS模拟集成电路的设计过程 | 第24-45页 |
| ·高温CMOS模拟集成电路的结构分析 | 第24-25页 |
| ·偏置电路的设计 | 第25-28页 |
| ·差分输入级的设计 | 第28-36页 |
| ·高温CMOS模拟集成电路中间级的设计 | 第36-39页 |
| ·高温CMOS集成放大电路的输出级分析及设计 | 第39-40页 |
| ·高温CMOS模拟运算放大电路的频率补偿 | 第40-43页 |
| ·高温CMOS运算放大电路的设计与实现 | 第43-45页 |
| 第四章 结论与展望 | 第45-47页 |
| ·工作总结 | 第45页 |
| ·下一步的研究和改进 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 致谢 | 第50页 |