| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 太阳电池的发展情况 | 第10-15页 |
| 1.2.1 太阳电池的原理 | 第10-12页 |
| 1.2.2 太阳电池总体的发展情况 | 第12-14页 |
| 1.2.3 薄膜太阳电池的发展情况 | 第14-15页 |
| 1.3 本文的主要内容及组织结构 | 第15-17页 |
| 1.3.1 主要研究内容 | 第15-16页 |
| 1.3.2 本文的创新点 | 第16页 |
| 1.3.3 本文的组织结构 | 第16-17页 |
| 2.薄膜的制备与表征 | 第17-29页 |
| 2.1 薄膜的制备 | 第17-22页 |
| 2.1.1 薄膜的制备方法 | 第17页 |
| 2.1.2 实验设备与材料 | 第17-21页 |
| 2.1.3 制备流程 | 第21-22页 |
| 2.2 薄膜的表征 | 第22-28页 |
| 2.2.1 紫外可见分光光度计 | 第22-23页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第23-24页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.2.4 四探针测试仪 | 第25-27页 |
| 2.2.5 台阶仪 | 第27页 |
| 2.2.6 薄膜电导率的测量 | 第27-28页 |
| 2.2.7 太阳电池的性能测量 | 第28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 3.缓冲层薄膜的制备与研究 | 第29-40页 |
| 3.1 硫化镉薄膜的基本性质 | 第29-30页 |
| 3.2 气体压强对硫化镉薄膜性能的影响 | 第30-34页 |
| 3.2.1 气体压强对硫化镉薄膜结构的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.2 气体压强对硫化镉薄膜表面形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.2.3 气体压强对硫化镉薄膜光学特性的影响 | 第33页 |
| 3.2.4 气体压强对硫化镉薄膜电学特性的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 衬底温度对硫化镉薄膜性能的影响 | 第34-39页 |
| 3.3.1 衬底温度对硫化镉薄膜结构的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2 衬底温度对硫化镉薄膜表面形貌的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 衬底温度对硫化镉薄膜光学特性的影响 | 第37-38页 |
| 3.3.4 衬底温度对硫化镉薄膜电学特性的影响 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4.N型窗口层薄膜的制备与研究 | 第40-47页 |
| 4.1 N型窗口层薄膜的性质 | 第40页 |
| 4.2 ZnO和Al溅射功率之比对AZO薄膜性能影响 | 第40-44页 |
| 4.2.1 ZnO和Al溅射功率之比对AZO薄膜结构的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.2 ZnO和Al溅射功率之比对AZO薄膜光学特性的影响 | 第42-43页 |
| 4.2.3 ZnO和Al溅射功率之比对AZO薄膜电学特性的影响 | 第43-44页 |
| 4.3 溅射压强对AZO薄膜性能影响 | 第44-46页 |
| 4.3.1 溅射压强对AZO薄膜结构的影响 | 第44-45页 |
| 4.3.2 溅射压强对AZO薄膜光学特性的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.3 溅射压强对AZO薄膜电学特性的影响 | 第46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 5.薄膜电池的制备与研究 | 第47-52页 |
| 5.1 AZO/CdS/Si太阳电池的制备 | 第47-49页 |
| 5.2 AZO/CdS/Si太阳电池实验结果与分析 | 第49-51页 |
| 5.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 6.总结与展望 | 第52-54页 |
| 6.1 总结 | 第52-53页 |
| 6.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 硕士期间发表的论文情况 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
