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变流器中功率开关器件结温平滑研究

中文摘要第3-4页
英文摘要第4页
1 绪论第8-22页
    1.1 选题背景第8-10页
    1.2 IGBT结温控制研究现状第10-19页
        1.2.1 IGBT结温的获取方法第10-16页
        1.2.2 IGBT结温波动抑制方法的介绍第16-19页
        1.2.3 结温调节效果的评估第19页
    1.3 本文主要研究内容第19-22页
2 三相逆变器设计及损耗分析第22-42页
    2.1 三相逆变器的设计第22-29页
        2.1.1 三相逆变器数学模型第22-27页
        2.1.2 三相逆变器PI参数设计第27-29页
    2.2 三相逆变器软硬件的实现第29-35页
        2.2.1 常规逆变器硬件电路的实现第29-32页
        2.2.2 逆变器软件控制的实现第32-34页
        2.2.3 基于结温控制的逆变器改进第34-35页
    2.3 三相逆变器不同调制方式的损耗模型建立第35-41页
        2.3.1 不同调制函数计算第35-38页
        2.3.2 不同调制方式下的损耗计算第38-39页
        2.3.3 IGBT模块的损耗分析第39-41页
    2.4 本章小结第41-42页
3 基于开关频率的低频结温调节第42-56页
    3.1 基于开关频率的结温调节原理第42-43页
    3.2 基于结温估算的开关频率控制第43-46页
        3.2.1 开关频率调节结温波动的实验验证第45-46页
    3.3 基于壳温比较的开关频率控制第46-55页
        3.3.1 结温估算调节开关频率存在的问题第46-47页
        3.3.2 IGBT结、壳温度响应关系第47-50页
        3.3.3 基于壳温比较的IGBT低频结温调节方法第50-52页
        3.3.4 基于壳温比较方法的验证第52-53页
        3.3.5 壳温比较方法在变流器中应用分析第53-55页
    3.4 本章小结第55-56页
4 基于缓冲电路的低频结温调节第56-68页
    4.1 关断损耗平滑结温思路第56-57页
    4.2 RCD缓冲电路调节关断损耗的原理第57-61页
    4.3 RCD缓冲电路可调节范围第61-63页
    4.4 基于缓冲电容结温调节实验第63-66页
    4.5 本章小结第66-68页
5 结论与展望第68-70页
    5.1 论文工作总结第68页
    5.2 后续研究工作展望第68-70页
致谢第70-72页
参考文献第72-76页
附录第76页
    A.作者在攻读硕士学位期间发表的论文第76页
    B.作者在攻读硕士学位期间参与的科研项目第76页

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