中文摘要 | 第3-4页 |
英文摘要 | 第4页 |
1 绪论 | 第8-22页 |
1.1 选题背景 | 第8-10页 |
1.2 IGBT结温控制研究现状 | 第10-19页 |
1.2.1 IGBT结温的获取方法 | 第10-16页 |
1.2.2 IGBT结温波动抑制方法的介绍 | 第16-19页 |
1.2.3 结温调节效果的评估 | 第19页 |
1.3 本文主要研究内容 | 第19-22页 |
2 三相逆变器设计及损耗分析 | 第22-42页 |
2.1 三相逆变器的设计 | 第22-29页 |
2.1.1 三相逆变器数学模型 | 第22-27页 |
2.1.2 三相逆变器PI参数设计 | 第27-29页 |
2.2 三相逆变器软硬件的实现 | 第29-35页 |
2.2.1 常规逆变器硬件电路的实现 | 第29-32页 |
2.2.2 逆变器软件控制的实现 | 第32-34页 |
2.2.3 基于结温控制的逆变器改进 | 第34-35页 |
2.3 三相逆变器不同调制方式的损耗模型建立 | 第35-41页 |
2.3.1 不同调制函数计算 | 第35-38页 |
2.3.2 不同调制方式下的损耗计算 | 第38-39页 |
2.3.3 IGBT模块的损耗分析 | 第39-41页 |
2.4 本章小结 | 第41-42页 |
3 基于开关频率的低频结温调节 | 第42-56页 |
3.1 基于开关频率的结温调节原理 | 第42-43页 |
3.2 基于结温估算的开关频率控制 | 第43-46页 |
3.2.1 开关频率调节结温波动的实验验证 | 第45-46页 |
3.3 基于壳温比较的开关频率控制 | 第46-55页 |
3.3.1 结温估算调节开关频率存在的问题 | 第46-47页 |
3.3.2 IGBT结、壳温度响应关系 | 第47-50页 |
3.3.3 基于壳温比较的IGBT低频结温调节方法 | 第50-52页 |
3.3.4 基于壳温比较方法的验证 | 第52-53页 |
3.3.5 壳温比较方法在变流器中应用分析 | 第53-55页 |
3.4 本章小结 | 第55-56页 |
4 基于缓冲电路的低频结温调节 | 第56-68页 |
4.1 关断损耗平滑结温思路 | 第56-57页 |
4.2 RCD缓冲电路调节关断损耗的原理 | 第57-61页 |
4.3 RCD缓冲电路可调节范围 | 第61-63页 |
4.4 基于缓冲电容结温调节实验 | 第63-66页 |
4.5 本章小结 | 第66-68页 |
5 结论与展望 | 第68-70页 |
5.1 论文工作总结 | 第68页 |
5.2 后续研究工作展望 | 第68-70页 |
致谢 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-76页 |
附录 | 第76页 |
A.作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76页 |
B.作者在攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第76页 |