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基于加速退化试验的模拟IC长寿命评估技术研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第11-15页
    1.1 模拟集成电路长寿命评估技术概况第11-14页
        1.1.1 模拟集成电路长寿命评估技术的现状第11-12页
        1.1.2 加速退化试验的基本概念第12页
        1.1.3 加速退化试验的现状及发展趋势第12-14页
    1.2 本文主要工作第14页
    1.3 本论文的结构安排第14-15页
第二章 模拟集成电路工作及贮存退化理论研究第15-21页
    2.1 模拟集成电路退化敏感参数和失效判据研究第15页
    2.2 模拟集成电路工作及贮存退化理论与模型研究第15-20页
        2.2.1 典型模拟集成电路失效模式研究第15-16页
        2.2.2 模拟集成电路工作退化理论研究第16-18页
            2.2.2.1 过电应力损伤第17页
            2.2.2.2 电迁移和热迁移第17页
            2.2.2.3 封装失效第17-18页
            2.2.2.4 离子沾污第18页
        2.2.3 模拟集成电路工作退化模型研究第18页
        2.2.4 模拟集成电路贮存退化理论与模型研究第18-20页
            2.2.4.1 金属布线(Al和Cu)的腐蚀第18-19页
            2.2.4.2 金属应力迁移(SM)第19-20页
            2.2.4.3 温度循环引起的疲劳失效第20页
    2.3 本章小结第20-21页
第三章 模拟集成电路的长寿命评估方法研究第21-57页
    3.1 模拟集成电路加速退化试验方案设计及加速模型第21-23页
        3.1.1 恒定温度应力加速试验方案设计及加速模型第21-22页
        3.1.2 温度加湿度复合应力加速试验方案设计及加速模型第22页
        3.1.3 温度循环应力加速试验方案设计及加速模型第22页
        3.1.4 模拟集成电路加速退化试验的具体实现方案第22-23页
    3.2 模拟集成电路加速退化试验数据第23-43页
        3.2.1 加速工作退化试验数据第23-30页
            3.2.1.1 SW-XXX第23-26页
            3.2.1.2 SF-XXX第26-28页
            3.2.1.3 SDA-XXX第28-30页
        3.2.2 加速贮存退化试验数据第30-35页
            3.2.2.1 SW-XXX第30-32页
            3.2.2.2 SF-XXX第32-33页
            3.2.2.3 SDA-XXX第33-35页
        3.2.3 温度循环加速贮存退化试验数据第35-39页
            3.2.3.1 SW-XXX第35-36页
            3.2.3.2 SF-XXX第36-37页
            3.2.3.3 SDA-XXX第37-39页
        3.2.4 温度加湿度应力加速贮存退化试验数据第39-43页
            3.2.4.1 SW-XXX第39-40页
            3.2.4.2 SF-XXX第40-42页
            3.2.4.3 SDA-XXX第42-43页
    3.3 模拟集成电路长寿命评估技术验证研究第43-48页
        3.3.1 常温工作退化试验数据第43-46页
            3.3.1.1 SW-XXX第43-44页
            3.3.1.2 SF-XXX第44-45页
            3.3.1.3 SDA-XXX第45-46页
        3.3.2 常温贮存退化试验数据第46-48页
            3.3.2.1 SW-XXX第46页
            3.3.2.2 SF-XXX第46-47页
            3.3.2.3 SDA-XXX第47-48页
        3.3.3 模拟集成电路长寿命评估效果第48页
    3.4 高可靠模拟集成电路长寿命评估标准研究第48-56页
        3.4.1 目的第49页
        3.4.2 适用范围第49页
        3.4.3 引用文件第49页
        3.4.4 术语和定义第49-50页
        3.4.5 一般要求第50页
        3.4.6 试验方法第50-56页
    3.5 本章小结第56-57页
第四章 模拟集成电路长寿命评估平台建设第57-73页
    4.1 加速退化试验硬件平台建设第57-59页
        4.1.1 老化板设计第57页
        4.1.2 加速退化试验硬件平台第57-58页
        4.1.3 电参数及漏率测试平台第58-59页
    4.2 失效分析平台建设第59-66页
        4.2.1 失效分析平台的组织架构第59页
        4.2.2 失效分析平台的硬件资源第59-60页
        4.2.3 失效分析平台在本论文中的应用第60-66页
            4.2.3.1 SW-XXX失效分析报告第60-62页
            4.2.3.2 SF-XXX失效分析报告第62-64页
            4.2.3.3 SDA-XXX失效分析报告第64-65页
            4.2.3.4 失效分析结论第65-66页
    4.3 加速退化试验数据自动采集与寿命评估分析模块建设第66-72页
        4.3.1 运算放大器测试原理第66-70页
        4.3.2 数据自动采集与分析评估系统设计第70-72页
    4.4 本章小结第72-73页
第五章 结论第73-75页
    5.1 本文的主要贡献第73-74页
    5.2 下一步工作的展望第74-75页
致谢第75-76页
参考文献第76-79页
攻硕期间取得的研究成果第79页

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