| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.1.1 有机电子学概述 | 第8-9页 |
| 1.1.2 有机半导体存储器件 | 第9页 |
| 1.2 有机场效应晶体管 | 第9-16页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管的器件结构和工作原理 | 第10-11页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的特征曲线和性能参数 | 第11-13页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管相关的材料 | 第13-16页 |
| 1.3 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 有机场效应晶体管存储器研究背景 | 第17-26页 |
| 2.1 有机场效应晶体管存储器介绍及发展 | 第17-23页 |
| 2.1.1 有机场效应晶体管存储器的工作原理和性能参数 | 第17-20页 |
| 2.1.2 有机场效应晶体管存储器分类 | 第20-23页 |
| 2.2 有机场效应晶体管多位存储器介绍及发展 | 第23-25页 |
| 2.2.1 研究意义 | 第23页 |
| 2.2.2 研究现状及挑战 | 第23-24页 |
| 2.2.3 应用前景 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 纳米形貌对浮栅型存储器的影响 | 第26-37页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 实验部分 | 第27-29页 |
| 3.2.1 器件制备部分 | 第27-28页 |
| 3.2.2 器件表征部分 | 第28-29页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第29-36页 |
| 3.3.1 薄膜特性 | 第29-31页 |
| 3.3.2 电学特性及讨论 | 第31-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于PS包裹C_(60)的有机场效应晶体管多位存储器的研究 | 第37-45页 |
| 4.1 引言 | 第37-38页 |
| 4.2 实验部分 | 第38-40页 |
| 4.2.1 器件制备部分 | 第39-40页 |
| 4.2.2 器件表征部分 | 第40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-43页 |
| 4.3.1 薄膜特性及元素分析 | 第40-42页 |
| 4.3.2 电学性能分析及存储机理讨论 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 低电压有机场效应晶体管的研究 | 第45-49页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 实验部分 | 第45-46页 |
| 5.2.1 器件制备部分 | 第45-46页 |
| 5.2.2 器件表征部分 | 第46页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第46-48页 |
| 5.3.1 薄膜形貌 | 第46-47页 |
| 5.3.2 电学性能表征 | 第47-48页 |
| 5.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第六章 总结与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第54-55页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第55-56页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |