| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 引言 | 第10-12页 |
| 1.1.1 有机电子学概述 | 第10-11页 |
| 1.1.2 有机半导体存储器的简介 | 第11-12页 |
| 1.2 有机场效应晶体管存储器的基本介绍 | 第12-27页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管存储器的器件结构和工作原理 | 第12-14页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管存储器的主要性能参数 | 第14-16页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管存储器的材料 | 第16-19页 |
| 1.2.4 有机场效应晶体管存储器的分类和研究进展 | 第19-27页 |
| 1.3 驻极体型有机场效应晶体管存储器的制备与表征 | 第27-29页 |
| 1.3.1 器件的制备方法 | 第27-28页 |
| 1.3.2 器件的测试与表征 | 第28-29页 |
| 1.4 本论文的研究意义与主要工作 | 第29-31页 |
| 第二章 基于杂化多酸簇的有机场效应晶体管存储器的研究 | 第31-42页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 基于杂化多酸簇的有机场效应晶体管存储器 | 第31-41页 |
| 2.2.1 材料与器件的制备 | 第31-33页 |
| 2.2.2 器件的存储性能研究 | 第33-40页 |
| 2.2.3 有机无机杂化的影响 | 第40-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 基于纳米柱阵列的有机场效应晶体管存储器的研究 | 第42-50页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 基于多酸簇纳米柱阵列的有机场效应晶体管存储器 | 第42-49页 |
| 3.2.1 多酸簇纳米柱阵列的制备与表征 | 第42-43页 |
| 3.2.2 器件的制备与表征 | 第43-44页 |
| 3.2.3 器件的存储性能研究 | 第44-49页 |
| 3.3 本章小结 | 第49-50页 |
| 第四章 基于双层异质结的有机场效应晶体管存储器的研究 | 第50-68页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 双层异质结效应对器件性能的研究 | 第50-52页 |
| 4.2.1 器件的制备与表征 | 第50-51页 |
| 4.2.2 双层异质结效应对器件存储性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.3 C60和P13作为N型半导体的器件性能的比较 | 第52-58页 |
| 4.3.1 器件的制备与表征 | 第52-53页 |
| 4.3.2 C60和P13作为N型半导体的器件的存储性能的比较 | 第53-58页 |
| 4.4 厚度效应对器件性能的影响 | 第58-67页 |
| 4.4.1 器件的制备与表征 | 第59页 |
| 4.4.2 不同厚度的P13对器件的存储性能的影响 | 第59-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第75-76页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第76-77页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
