多晶六硼化镧场发射性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 本文研究的意义 | 第11-12页 |
| 1.3 场致电子发射的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.4 场发射阴极的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.4.1 传统场发射阴极 | 第13页 |
| 1.4.2 六硼化镧场发射阴极研究现状 | 第13-14页 |
| 1.5 本文的主要工作和内容 | 第14-16页 |
| 第二章 场致发射机理及特点 | 第16-21页 |
| 2.1 金属场致发射 | 第16-19页 |
| 2.2 半导体场致发射 | 第19页 |
| 2.3 材料的选择 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 大面积多晶六硼化镧场发射阴极的理论设计 | 第21-32页 |
| 3.1 基本方程 | 第21-22页 |
| 3.2 场分布的数值模拟 | 第22-25页 |
| 3.2.1 二维差分方程的离散 | 第22-24页 |
| 3.2.2 差分方程的求解 | 第24-25页 |
| 3.3 场发射阵列的模拟 | 第25-31页 |
| 3.3.1 模拟软件 | 第25页 |
| 3.3.2 模型建立 | 第25-27页 |
| 3.3.3 环状结构发射阴极的计算结果 | 第27-30页 |
| 3.3.4 梳状结构的模拟计算结果 | 第30-31页 |
| 3.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 环状多晶六硼化镧场发射阴极的制备 | 第32-53页 |
| 4.1 工艺流程设计 | 第32-33页 |
| 4.2 基片预处理 | 第33-34页 |
| 4.2.1 基片的磨抛 | 第33页 |
| 4.2.2 基片的清洗 | 第33-34页 |
| 4.3 保护层材料的选择和沉积工艺 | 第34-38页 |
| 4.3.1 氮化硅保护层的沉积方法 | 第34-35页 |
| 4.3.2 氮化硅材料的特性 | 第35页 |
| 4.3.3 实验设备 | 第35页 |
| 4.3.4 沉积速率的测定和均匀性分析 | 第35-38页 |
| 4.3.5 结论 | 第38页 |
| 4.4 保护层图案化 | 第38-44页 |
| 4.4.1 光刻和刻蚀工艺原理 | 第38-40页 |
| 4.4.2 光刻的工艺流程 | 第40-42页 |
| 4.4.3 干法刻蚀(RIE)的工艺流程 | 第42-44页 |
| 4.4.4 结论 | 第44页 |
| 4.5 场发射体电化学刻蚀 | 第44-52页 |
| 4.5.1 电化学刻蚀原理及工艺流程 | 第45-47页 |
| 4.5.2 保护层为氮化硅时刻蚀结果分析 | 第47-48页 |
| 4.5.3 保护层为光刻胶时刻蚀结果分析 | 第48-51页 |
| 4.5.4 结论 | 第51-52页 |
| 4.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 梳状多晶六硼化镧场发射阴极的制备 | 第53-57页 |
| 5.1 电化学刻蚀原理 | 第53页 |
| 5.2 工艺流程的改进 | 第53页 |
| 5.3 结果分析 | 第53-56页 |
| 5.3.1 缓蚀剂对发射体形貌的影响 | 第53-55页 |
| 5.3.2 水溶剂对发射体形貌的影响 | 第55页 |
| 5.3.3 电化学刻蚀速率的计算 | 第55-56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 多晶六硼化镧场发射性能测试 | 第57-69页 |
| 6.1 测试对象 | 第57-58页 |
| 6.2 测试系统 | 第58-60页 |
| 6.3 场发射特性评价参数 | 第60-61页 |
| 6.4 测试装置预处理 | 第61-62页 |
| 6.4.1 零部件预处理 | 第61页 |
| 6.4.2 阳极除气 | 第61-62页 |
| 6.5 测试结果与分析 | 第62-68页 |
| 6.5.1 环状场发射阴极测试结果与分析 | 第62-64页 |
| 6.5.2 梳状场发射阴极测试结果与分析 | 第64-68页 |
| 6.6 本章小结 | 第68-69页 |
| 第七章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 7.1 论文总结 | 第69页 |
| 7.2 存在的问题和后续研究的展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第76-77页 |
