首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

基于统计数学原理的LED氮化物荧光材料优化合成、晶体结构解析与能量传递机理研究

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9-10页
第一章 绪论第16-32页
    1.1 引言第16页
    1.2 发光二极管工作原理以及白光的产生第16-18页
        1.2.1 发光二极管的结构及工作原理第16-17页
        1.2.2 LED白光的产生方式第17-18页
        1.2.3 符合白光LED使用荧光粉的条件第18页
    1.3 荧光材料研究进展第18-27页
        1.3.1 荧光材料发光原理第18-19页
        1.3.2 氮化物荧光材料简介及研究进展第19-26页
        1.3.3 Li_2SrSiO_4:Eu~(2+),Ce~(3+)荧光材料研究进展第26页
        1.3.4 YBO_3基荧光材料研究进展第26-27页
    1.4 实验方法及思想介绍第27-31页
        1.4.1 田口方法第27-29页
        1.4.2 高能球磨第29-30页
        1.4.3 稀土离子荧光探针第30页
        1.4.4 Rietveld方法晶体结构精修第30-31页
    1.5 选题依据第31-32页
第二章 利用金属氧化物为原料合成氮化物Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)第32-50页
    2.1 引言第32-33页
    2.2 实验部分第33-36页
        2.2.1 实验药品与仪器第33-34页
        2.2.2 样品制备第34-35页
        2.2.3 样品表征第35-36页
    2.3 实验结果与讨论第36-48页
        2.3.1 合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)温度、反应容器、混料方式的确立第36-37页
        2.3.2 田口方法优化球磨参数第37-42页
        2.3.3 保持氮化硅完整性对合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)的影响第42-45页
        2.3.4 合成原料中不同Sr/Si比对合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光材料的影响第45-46页
        2.3.5 掺杂阳离子Ca~(2+)调节发光光谱第46-48页
    2.4 本章小结第48-50页
第三章 Li_2SrSiO_4晶体结构解析第50-61页
    3.1 引言第50页
    3.2 实验部分第50-52页
        3.2.1 实验药品与仪器第50-51页
        3.2.2 样品制备第51页
        3.2.3 样品表征第51-52页
    3.3 实验结果与讨论第52-60页
        3.3.1 Li_2SrSiO_4:Eu~(2+),Ce~(3+)光谱性能与物相表征第52-54页
        3.3.2 基于Eu~(3+)的~5D_0-~7F_0超灵敏跃迁荧光探针技术探测Li_2SrSiO_4结构中Sr~(2+)的格位第54-57页
        3.3.3 利用GASA拟合解新的晶体结构第57-59页
        3.3.4 高分辨电镜图证实新结构第59-60页
    3.4 本章小结第60-61页
第四章 适于深紫外LED激发的YBO_3:Sb~(3+),Eu~(3+)体系发光特性与能量传递机理第61-68页
    4.1 引言第61页
    4.2 实验药品和仪器第61-63页
        4.2.1 实验所需药品第61-62页
        4.2.2 样品制备第62-63页
    4.3 实验结果与讨论第63-66页
        4.3.1 YBO_3中Sb~(3+)和Eu~(3+)之间的能量传递第63-65页
        4.3.2 借助Bi~(3+)探究Sb~(3+)和Eu~(3+)之间的能量传递机理第65-66页
    4.4 本章小结第66-68页
第五章 结论第68-69页
参考文献第69-74页
攻读硕士期间取得的科研成果第74-75页

论文共75页,点击 下载论文
上一篇:某型低接触电阻率异面GaAs半导体光导开关的研究
下一篇:江苏省高校社会体育专业健美操课程现状调查研究