致谢 | 第7-8页 |
摘要 | 第8-9页 |
ABSTRACT | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第16-32页 |
1.1 引言 | 第16页 |
1.2 发光二极管工作原理以及白光的产生 | 第16-18页 |
1.2.1 发光二极管的结构及工作原理 | 第16-17页 |
1.2.2 LED白光的产生方式 | 第17-18页 |
1.2.3 符合白光LED使用荧光粉的条件 | 第18页 |
1.3 荧光材料研究进展 | 第18-27页 |
1.3.1 荧光材料发光原理 | 第18-19页 |
1.3.2 氮化物荧光材料简介及研究进展 | 第19-26页 |
1.3.3 Li_2SrSiO_4:Eu~(2+),Ce~(3+)荧光材料研究进展 | 第26页 |
1.3.4 YBO_3基荧光材料研究进展 | 第26-27页 |
1.4 实验方法及思想介绍 | 第27-31页 |
1.4.1 田口方法 | 第27-29页 |
1.4.2 高能球磨 | 第29-30页 |
1.4.3 稀土离子荧光探针 | 第30页 |
1.4.4 Rietveld方法晶体结构精修 | 第30-31页 |
1.5 选题依据 | 第31-32页 |
第二章 利用金属氧化物为原料合成氮化物Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+) | 第32-50页 |
2.1 引言 | 第32-33页 |
2.2 实验部分 | 第33-36页 |
2.2.1 实验药品与仪器 | 第33-34页 |
2.2.2 样品制备 | 第34-35页 |
2.2.3 样品表征 | 第35-36页 |
2.3 实验结果与讨论 | 第36-48页 |
2.3.1 合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)温度、反应容器、混料方式的确立 | 第36-37页 |
2.3.2 田口方法优化球磨参数 | 第37-42页 |
2.3.3 保持氮化硅完整性对合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)的影响 | 第42-45页 |
2.3.4 合成原料中不同Sr/Si比对合成Sr_2Si_5N_8:Eu~(2+)荧光材料的影响 | 第45-46页 |
2.3.5 掺杂阳离子Ca~(2+)调节发光光谱 | 第46-48页 |
2.4 本章小结 | 第48-50页 |
第三章 Li_2SrSiO_4晶体结构解析 | 第50-61页 |
3.1 引言 | 第50页 |
3.2 实验部分 | 第50-52页 |
3.2.1 实验药品与仪器 | 第50-51页 |
3.2.2 样品制备 | 第51页 |
3.2.3 样品表征 | 第51-52页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第52-60页 |
3.3.1 Li_2SrSiO_4:Eu~(2+),Ce~(3+)光谱性能与物相表征 | 第52-54页 |
3.3.2 基于Eu~(3+)的~5D_0-~7F_0超灵敏跃迁荧光探针技术探测Li_2SrSiO_4结构中Sr~(2+)的格位 | 第54-57页 |
3.3.3 利用GASA拟合解新的晶体结构 | 第57-59页 |
3.3.4 高分辨电镜图证实新结构 | 第59-60页 |
3.4 本章小结 | 第60-61页 |
第四章 适于深紫外LED激发的YBO_3:Sb~(3+),Eu~(3+)体系发光特性与能量传递机理 | 第61-68页 |
4.1 引言 | 第61页 |
4.2 实验药品和仪器 | 第61-63页 |
4.2.1 实验所需药品 | 第61-62页 |
4.2.2 样品制备 | 第62-63页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第63-66页 |
4.3.1 YBO_3中Sb~(3+)和Eu~(3+)之间的能量传递 | 第63-65页 |
4.3.2 借助Bi~(3+)探究Sb~(3+)和Eu~(3+)之间的能量传递机理 | 第65-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-68页 |
第五章 结论 | 第68-69页 |
参考文献 | 第69-74页 |
攻读硕士期间取得的科研成果 | 第74-75页 |