某型低接触电阻率异面GaAs半导体光导开关的研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-23页 |
| 1.1 光导开关的研究意义 | 第16页 |
| 1.2 光导开关的发展历史及现状 | 第16-18页 |
| 1.3 光导开关应用举例 | 第18-22页 |
| 1.3.1 PCSS在瞬态测试中的应用 | 第19页 |
| 1.3.2 PCSS在THz辐射方面的应用 | 第19-21页 |
| 1.3.3 PCSS在脉冲功率领域的应用 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 光导开关的工作原理 | 第23-33页 |
| 2.1 光导开关的工作原理 | 第23-29页 |
| 2.1.1 光导开关的基本原理 | 第23-24页 |
| 2.1.2 光导开关的基本结构 | 第24-25页 |
| 2.1.3 光导开关的工作模式 | 第25-29页 |
| 2.2 光导开关衬底材料 | 第29-32页 |
| 2.2.1 材料特性对PCSS性能的影响 | 第29页 |
| 2.2.2 开关衬底材料介绍 | 第29-31页 |
| 2.2.3 半导体材料的比较 | 第31页 |
| 2.2.4 本文光导开关衬底材料的选择 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 金半接触的原理及欧姆接触电阻率的测量方法 | 第33-48页 |
| 3.1 金属半导体接触 | 第33-41页 |
| 3.1.1 金半接触及其能级图 | 第33-36页 |
| 3.1.2 金半接触的整流理论 | 第36页 |
| 3.1.3 载流子输运机制 | 第36-40页 |
| 3.1.4 欧姆接触 | 第40-41页 |
| 3.2 欧姆接触电阻率及测量方法 | 第41-47页 |
| 3.2.1 接触电阻率 | 第41页 |
| 3.2.2 接触电阻率的测量方法 | 第41-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 欧姆接触电极的制作 | 第48-63页 |
| 4.1 欧姆接触金属体系的选择 | 第48-54页 |
| 4.1.1 欧姆接触金属体系的组成 | 第48-50页 |
| 4.1.2 欧姆接触金属系统的选择 | 第50-51页 |
| 4.1.3 光导开关结构的确定 | 第51-54页 |
| 4.2 欧姆接触电极的制作工艺 | 第54-62页 |
| 4.2.1 欧姆接触电极制作的流程图 | 第54页 |
| 4.2.2 芯片清洗工艺 | 第54-55页 |
| 4.2.3 光刻工艺 | 第55-58页 |
| 4.2.4 磁控溅射工艺 | 第58-59页 |
| 4.2.5 离子注入工艺 | 第59页 |
| 4.2.6 刻蚀与剥离工艺 | 第59-61页 |
| 4.2.7 退火工艺 | 第61-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 光导开关性能测试 | 第63-70页 |
| 5.1 欧姆接触电阻率测量分析 | 第63-64页 |
| 5.2 光导开关Ⅰ-Ⅴ特性曲线的测量 | 第64-66页 |
| 5.3 光导开关电极形貌扫描 | 第66-67页 |
| 5.4 光导开关热稳定性和附着力测试 | 第67-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结和展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第76页 |
