| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 自旋电子学的由来 | 第10-11页 |
| 1.2 磁性存储技术及其发展历程 | 第11页 |
| 1.3 磁性存储器演变过程 | 第11-12页 |
| 1.4 非易失性存储器 | 第12-14页 |
| 1.4.1 铁电存储器 | 第12页 |
| 1.4.2 相变存储器 | 第12页 |
| 1.4.3 磁性存储器 | 第12-14页 |
| 1.5 隧道结(MTJ)与自旋阀(SV) | 第14-15页 |
| 1.6 隧穿磁电阻(TMR)效应 | 第15-16页 |
| 1.7 巨磁阻(GMR)效应 | 第16-18页 |
| 1.8 本文的主要工作及研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 磁矩翻转基本理论 | 第19-28页 |
| 2.1 物质的抗磁性与顺磁性 | 第20-21页 |
| 2.1.1 物质的抗磁性 | 第20-21页 |
| 2.1.2 物质的顺磁性 | 第21页 |
| 2.2 铁磁性物质的基本特性 | 第21-22页 |
| 2.3 磁晶各项异性 | 第22-23页 |
| 2.4 磁学中相关能量 | 第23-24页 |
| 2.5 磁化强度的一致进动 | 第24-26页 |
| 2.5.1 无阻尼情况下,磁矩的运动方程 | 第24-25页 |
| 2.5.2 有阻尼情况下,磁矩的运动方程 | 第25-26页 |
| 2.6 自旋转移矩(STT)的由来以及意义 | 第26-28页 |
| 第三章 宏自旋模型及磁化矢量进动方程 | 第28-40页 |
| 3.1 宏自旋(Macrospin)模型 | 第28-29页 |
| 3.2 自旋阀中的Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程 | 第29-31页 |
| 3.3 隧道结中的Landau-Lifshitz-Gilbert-Slonczewski(LLGS)方程 | 第31-33页 |
| 3.4 自由层厚度对自旋阀(SV)和隧道结(MTJ)中磁矩进动的影响 | 第33-40页 |
| 3.4.1 在自旋阀中的磁矩进动 | 第33-36页 |
| 3.4.2 在隧道结中的磁矩进动 | 第36-40页 |
| 第四章 其它效应对磁矩翻转机理的影响 | 第40-49页 |
| 4.1 带有反常霍尔矩的隧道结模型中磁矩翻转机理 | 第41-46页 |
| 4.1.1 理论与模型 | 第41-43页 |
| 4.1.2 结果与分析 | 第43-46页 |
| 4.2 带有拉什巴效应的隧道结模型中磁矩翻转机理 | 第46-49页 |
| 4.2.1 理论与模型 | 第46-49页 |
| 第五章 五层膜结构中磁矩翻转机理 | 第49-57页 |
| 5.1 与经典三层膜对比翻转时间及翻转速度的比较 | 第49-51页 |
| 5.2 五层膜结构中第二个固定层偏置对磁矩翻转的影响 | 第51-54页 |
| 5.3 五层膜结构中偏置对磁矩翻转的影响 | 第54-57页 |
| 第六章 本文总结与展望 | 第57-59页 |
| 6.1 工作总结 | 第57-58页 |
| 6.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
