摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-17页 |
1.1 引言 | 第9-10页 |
1.2 钙钛矿材料综述 | 第10-14页 |
1.2.1 有机-无机杂化钙钛矿材料结构及优点 | 第10-12页 |
1.2.2 有机-无机杂化钙钛矿材料存在的问题 | 第12-13页 |
1.2.3 Cs基卤化物钙钛矿材料特性 | 第13-14页 |
1.3 半导体金刚石概述 | 第14-15页 |
1.3.1 金刚石的结构及基本性质 | 第14-15页 |
1.3.2 金刚石光电探测器的发展 | 第15页 |
1.4 本论文的研究内容 | 第15-17页 |
2 材料和器件的制备与表征 | 第17-23页 |
2.1 材料和器件的制备方法 | 第17-20页 |
2.1.1 钙钛矿材料的制备工艺 | 第17-18页 |
2.1.2 钙钛矿太阳能电池的制备工艺 | 第18-19页 |
2.1.3 金刚石材料和器件的制备工艺 | 第19-20页 |
2.2 材料和器件的表征 | 第20-22页 |
2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第20页 |
2.2.2 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第20-21页 |
2.2.3 光致发光(PL) | 第21页 |
2.2.4 紫外-可见光分光光度计 | 第21-22页 |
2.2.5 器件的I-V特性表征 | 第22页 |
2.3 本章小结 | 第22-23页 |
3 两步溶液法制备CsPbBr_3薄膜及其性能研究 | 第23-39页 |
3.1 TiO_2介孔层上生长CsPbBr_3薄膜 | 第23-32页 |
3.1.1 热风辅助旋涂法对薄膜性能的影响 | 第25-27页 |
3.1.2 浸泡时间和退火时间对薄膜性能的影响 | 第27-31页 |
3.1.3 不同溶剂对薄膜性能的影响 | 第31-32页 |
3.2 ZnO纳米棒上生长CsPbBr_3薄膜及其性能研究 | 第32-34页 |
3.3 平面结构CsPbBr_3钙钛矿太阳能电池制备 | 第34-37页 |
3.3.1 TiO_2致密层上制备CsPbBr_3薄膜 | 第35-36页 |
3.3.2 平面结构太阳能电池制备 | 第36-37页 |
3.4 本章小结 | 第37-39页 |
4 CsPbBr_3薄膜的稳定性及其掺杂性能研究 | 第39-46页 |
4.1 引言 | 第39页 |
4.2 CsPbBr_3薄膜稳定性研究 | 第39-41页 |
4.3 卤族元素掺杂对CsPbI_xBr_(3-x)薄膜性能的影响 | 第41-45页 |
4.5 本章小结 | 第45-46页 |
5 金刚石深紫外光电探测器的研究 | 第46-52页 |
5.1 引言 | 第46页 |
5.2 金刚石深紫外探测器制备与性能研究 | 第46-51页 |
5.2.1 金刚石深紫外探测器的制备 | 第46-48页 |
5.2.2 金刚石深紫外探测器的性能研究 | 第48-50页 |
5.2.3 退火对金刚石深紫外探测器的影响 | 第50-51页 |
5.3 本章总结 | 第51-52页 |
6 总结与展望 | 第52-54页 |
参考文献 | 第54-58页 |
个人简历与硕士期间发表论文 | 第58-59页 |
致谢 | 第59页 |