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基于40nm工艺芯片物理设计研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 引言第6-11页
    1.1 课题背景第6-7页
    1.2 深亚微米工艺物理设计现状第7-9页
    1.3 论文的主要内容第9-11页
第2章 物理设计流程第11-22页
    2.1 前端设计流程第11-12页
    2.2 物理设计流程第12-22页
        2.2.1 布局规划(Floorplan)第13-14页
        2.2.2 电源网络规划(Powerplan)第14-15页
        2.2.3 布局(Placement)第15页
        2.2.4 时钟树综合(CTS)第15-16页
        2.2.5 布线(Route)第16页
        2.2.6 静态时序分析(STA)第16-18页
        2.2.7 功耗分析(Power)第18-19页
        2.2.8 信号完整性分析(SI)第19页
        2.2.9 可制造性设计(DFM)第19-21页
        2.2.10 物理验证(PV)第21-22页
第3章 40nm工艺设计挑战第22-33页
    3.1 面临的主要挑战第22-23页
    3.2 设计流程中的若干注意事项第23-33页
        3.2.1 选择合适的PVT Corner第24页
        3.2.2 设置Bounds第24-25页
        3.2.3 电源网络第25-26页
        3.2.4 布局第26-28页
        3.2.5 时钟第28-29页
        3.2.6 保持时间修复第29-30页
        3.2.7 时序变化第30-31页
        3.2.8 布线第31-33页
第4章 基于40nm工艺物理设计第33-71页
    4.1 前期准备和网表检查第33-34页
    4.2 布局规划第34-41页
        4.2.1 布局规划第35-38页
        4.2.2 电源分布第38-41页
    4.3 布局第41-47页
        4.3.1 布局步骤第43-46页
        4.3.2 布局结果第46-47页
    4.4 时钟树第47-52页
        4.4.1 时钟树综合第47-50页
        4.4.2 时钟树优化第50-51页
        4.4.3 时钟树综合结果第51-52页
    4.5 布线第52-55页
        4.5.1 布线步骤第52-54页
        4.5.2 布线结果第54-55页
    4.6 时序和信号完整性分析第55-71页
        4.6.1 功耗优化第56页
        4.6.2 静态时序分析第56-65页
        4.6.3 信号完整性分析第65-69页
        4.6.4 布线ECO第69-70页
        4.6.5 时序结果第70-71页
第5章 若干问题的进一步分析第71-78页
    5.1 降低功耗第71-73页
        5.1.1 布局布线阶段的处理第71-72页
        5.1.2 进一步优化功耗第72-73页
        5.1.3 最后的功耗优化第73页
        5.1.4 采用Wcleak库第73页
    5.2 时钟第73-75页
        5.2.1 时钟树引用(Clock Tree Reference)第73-75页
        5.2.2 时钟树串扰第75页
    5.3 布线拥塞第75-78页
第6章 结束语第78-80页
    6.1 论文总结第78-79页
    6.2 展望第79-80页
参考文献第80-82页
致谢第82-83页

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