| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 气敏器件简介 | 第9-14页 |
| 1.1.1 半导体传感器的气敏机理及分类 | 第9-12页 |
| 1.1.2 气敏传感器的结构及测试 | 第12-14页 |
| 1.2 一维纳米材料的制备 | 第14-19页 |
| 1.2.1 水热法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 气相法 | 第15-16页 |
| 1.2.3 气相-液相-固相(VLS)法 | 第16页 |
| 1.2.4 微乳液法 | 第16-17页 |
| 1.2.5 模板法 | 第17-18页 |
| 1.2.6 溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| 1.2.7 静电纺丝法 | 第19页 |
| 1.3 一维纳米材料在气敏传感器中的应用 | 第19-25页 |
| 1.3.1 电阻式半导体传感器 | 第20-24页 |
| 1.3.2 场效应晶体管型气敏传感器 | 第24-25页 |
| 1.4 MoO_3的概述与研究进展 | 第25-28页 |
| 1.4.1 MoO_3的结构特征与性质 | 第25-26页 |
| 1.4.2 MoO_3气敏材料的研究进展 | 第26-28页 |
| 1.5 本论文的研究意义与研究内容 | 第28-29页 |
| 第2章 一维MoO_3纳米材料制备及表征手段 | 第29-36页 |
| 2.1 实验试剂及实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.2 一维MoO_3纳米材料的制备 | 第30-31页 |
| 2.2.1 以过氧钼酸为钼源制备MoO_3纳米带 | 第30-31页 |
| 2.2.2 以乙酰钼为钼源制备MoO_3纳米带 | 第31页 |
| 2.3 MoO_3纳米带的结构、形貌和性能表征方法 | 第31-36页 |
| 2.3.1 结构、形貌表征 | 第31-33页 |
| 2.3.2 性能表征 | 第33-36页 |
| 第3章 一维MoO_3纳米材料的结构、形貌表征 | 第36-41页 |
| 3.1 以过氧钼酸为铝源制备的MoO_3纳米带结构和形貌表征 | 第36-37页 |
| 3.1.1 物相分析 | 第36-37页 |
| 3.1.2 形貌分析 | 第37页 |
| 3.2 以乙酰钼为钼源制备的MoO_3纳米带结构和形貌表征 | 第37-40页 |
| 3.2.1 物相分析 | 第37-39页 |
| 3.2.2 形貌分析 | 第39-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 基于MoO_3纳米带的气敏元件制作及性能研究 | 第41-54页 |
| 4.1 基于MoO_3纳米带的旁热式气敏元件及性能 | 第41-47页 |
| 4.1.1 以过氧铝酸为钼源制备的MoO_3纳米带气敏性能 | 第41-42页 |
| 4.1.2 以乙酰钼为钼源制备的MoO_3纳米带气敏性能 | 第42-47页 |
| 4.2 基于单根MoO_3纳米带的微纳器件 | 第47-53页 |
| 4.2.1 基于单根MoO_3纳米带的微纳器件制作 | 第47-48页 |
| 4.2.2 单根MoO_3纳米带微纳器件的电性能 | 第48-50页 |
| 4.2.3 单根MoO_3纳米带微纳器件的气敏性能 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 结论 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
