| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 插图索引 | 第10-12页 |
| 附表索引 | 第12-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 AlN 薄膜结构、性能与应用 | 第13-20页 |
| 1.1.1 AlN 的结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 AlN 薄膜性能 | 第14-18页 |
| 1.1.3 AlN 薄膜应用 | 第18-20页 |
| 1.2 反应磁控溅射沉积 AlN 薄膜工艺方法 | 第20-22页 |
| 1.2.1 直流反应磁控溅射 | 第20-21页 |
| 1.2.2 射频反应磁控溅射 | 第21页 |
| 1.2.3 中频反应磁控溅射 | 第21页 |
| 1.2.4 脉冲反应磁控溅射 | 第21-22页 |
| 1.3 沉积温度对 AlN 薄膜结构、性能的影响 | 第22-23页 |
| 1.4 溅射工作气氛对 AlN 薄膜结构、性能的影响 | 第23-24页 |
| 1.5 研究背景与主要内容 | 第24-25页 |
| 第2章 实验方法 | 第25-29页 |
| 2.1 AlN 薄膜的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.1 衬底材料的选择及预处理过程 | 第25页 |
| 2.1.2 AlN 薄膜的制备方法及工艺条件 | 第25-26页 |
| 2.2 AlN 薄膜的分析测试方法 | 第26-29页 |
| 2.2.1 X 射线衍射仪 | 第26-27页 |
| 2.2.2 场发射电子显微镜及 X 射线能量色散谱仪 | 第27页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第27页 |
| 2.2.4 紫外-可见光分光光度计 | 第27-28页 |
| 2.2.5 划痕测试仪 | 第28-29页 |
| 第3章 低温沉积 AlN 薄膜制备工艺方法比较 | 第29-36页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 直流反应磁控溅射沉积 AlN 薄膜 | 第29-31页 |
| 3.3 射频反应磁控溅射沉积 AlN 薄膜 | 第31-32页 |
| 3.4 脉冲反应磁控溅射沉积 AlN 薄膜 | 第32-33页 |
| 3.5 反应磁控溅射低温沉积 AlN 薄膜工艺方法比较 | 第33-35页 |
| 3.6 小结 | 第35-36页 |
| 第4章 衬底温度对脉冲磁控溅射沉积 AlN 薄膜结构与性能的影响 | 第36-59页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 衬底温度对 AlN 薄膜结构与性能的影响规律 | 第37-45页 |
| 4.2.1 衬底温度测试与模拟 | 第37-40页 |
| 4.2.2 衬底温度对 AlN 薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.3 衬底温度对 AlN 薄膜光学性能的影响 | 第42-45页 |
| 4.2.4 衬底温度对 AlN 薄膜粘接性能的影响 | 第45页 |
| 4.3 低温沉积工艺优化 | 第45-57页 |
| 4.3.1 溅射功率 | 第46-49页 |
| 4.3.2 脉冲频率 | 第49-52页 |
| 4.3.3 占空比 | 第52-54页 |
| 4.3.4 溅射工作气压 | 第54-56页 |
| 4.3.5 脉冲磁控溅射低温沉积 AlN 薄膜优化工艺 | 第56-57页 |
| 4.4 脉冲磁控溅射低温沉积 AlN 薄膜晶化机理 | 第57-58页 |
| 4.5 小结 | 第58-59页 |
| 第5章 氢气气氛下低温沉积 AlN 薄膜 | 第59-72页 |
| 5.1 引言 | 第59页 |
| 5.2 溅射工作气氛对 AlN 薄膜结构的调控作用 | 第59-61页 |
| 5.3 氢气气氛下低温沉积 AlN 薄膜结构 | 第61-68页 |
| 5.3.1 结晶度与择优取向 | 第61-66页 |
| 5.3.2 表面形貌 | 第66-68页 |
| 5.4 氢气对 AlN 薄膜择优取向调控机理 | 第68-69页 |
| 5.5 氢气气氛下低温沉积 AlN 薄膜粘接与透光性能 | 第69-71页 |
| 5.5.1 透光性能 | 第69-70页 |
| 5.5.2 粘接性能 | 第70-71页 |
| 5.6 小结 | 第71-72页 |
| 结论 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第83页 |
