| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 前言 | 第7-17页 |
| 1.1 介电材料 | 第7-8页 |
| 1.1.1 动态随机存储器 | 第7页 |
| 1.1.2 微波调谐器件 | 第7-8页 |
| 1.2 Ba_(1-x)Sr_xTiO_3介电材料 | 第8-10页 |
| 1.3 Ba_(1-x)Sr_xTiO_3研究现状 | 第10-12页 |
| 1.4 电极的选择 | 第12-13页 |
| 1.5 YBCO超导薄膜 | 第13-15页 |
| 1.5.1 超导材料的发展 | 第13页 |
| 1.5.2 YBCO薄膜的晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.6 介电薄膜的制备方法 | 第15页 |
| 1.7 研究内容以及选题意义 | 第15-17页 |
| 2 实验方案与仪器设备 | 第17-23页 |
| 2.1 实验方案 | 第17-18页 |
| 2.2 实验试剂与设备 | 第18-19页 |
| 2.2.1 实验所用化学试剂 | 第18页 |
| 2.2.2 薄膜制备仪器 | 第18-19页 |
| 2.3 薄膜表征手段 | 第19-23页 |
| 3 溶胶-凝胶法制备BST/YBCO/LAO薄膜 | 第23-41页 |
| 3.1 溶胶-凝胶法制备YBCO/LAO薄膜 | 第23-26页 |
| 3.1.1 YBCO溶胶的配制 | 第23-24页 |
| 3.1.2 YBCO薄膜的制备 | 第24-26页 |
| 3.2 BST/LAO的制备 | 第26-28页 |
| 3.3 BST/YBCO/LAO复合薄膜制备及热处理工艺改进 | 第28-36页 |
| 3.4 Pt/BST/YBCO/LAO介电性能研究 | 第36-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-41页 |
| 4 Ce掺杂BST对Pt/BST/YBCO/LAO介电性能的影响 | 第41-53页 |
| 4.1 Ce掺杂的BST薄膜制备 | 第41-42页 |
| 4.2 Ce掺杂对Pt/BST/YBCO/LAO相结构的影响 | 第42-43页 |
| 4.3 Ce掺杂对Pt/BST/YBCO/LAO表面形貌的影响 | 第43页 |
| 4.4 不同Ce掺杂量对Pt/BST/YBCO/LAO介电性能的影响 | 第43-52页 |
| 4.4.1 不同Ce掺杂量对Pt/BST/YBCO/LAO介电损耗的影响 | 第43-47页 |
| 4.4.2 不同Ce掺杂量对Pt/BST/YBCO/LAO调谐率的影响 | 第47-50页 |
| 4.4.3 不同Ce掺杂量对Pt/BST/YBCO/LAO优值因子的影响 | 第50-51页 |
| 4.4.4 Ce掺杂量为 1.5 mol %时Pt/BST/YBCO/LAO综合分析 | 第51-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 5 结论 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
