| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 论文的研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 SiC BJT的发展现状及存在的问题 | 第13-14页 |
| 1.3 SiC BJT的仿真模型及发展现状 | 第14-16页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第16-18页 |
| 第2章 SiC BJT的工作原理及特性 | 第18-31页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 IC Si BJT的基本特性 | 第18-19页 |
| 2.3 SiC BJT的基本结构及工作原理 | 第19-20页 |
| 2.4 SiC BJT的正向电流增益及击穿电压 | 第20-22页 |
| 2.4.1 SiC BJT的正向电流增益 | 第20-21页 |
| 2.4.2 SiC BJT的击穿电压 | 第21-22页 |
| 2.5 SiC BJT的各种二级效应 | 第22-23页 |
| 2.5.1 Early效应 | 第22页 |
| 2.5.2 电导调制效应 | 第22页 |
| 2.5.3 发射结电流集边效应 | 第22-23页 |
| 2.5.4 准饱和效应 | 第23页 |
| 2.5.5 基区推进效应 | 第23页 |
| 2.6 SiC BJT的静态电学特性 | 第23-25页 |
| 2.6.1 输入特性 | 第23-24页 |
| 2.6.2 转移特性 | 第24页 |
| 2.6.3 正向放大倍数特性 | 第24-25页 |
| 2.6.4 输出特性曲线 | 第25页 |
| 2.7 SiC BJT的动态电学特性 | 第25-30页 |
| 2.7.1 负载为阻性时的开通过程 | 第26-28页 |
| 2.7.2 负载为阻性时的关断过程 | 第28页 |
| 2.7.3 负载为感性时的开通过程 | 第28-29页 |
| 2.7.4 负载为感性时的关断过程 | 第29-30页 |
| 2.8 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 SiC BJT的SGPI模型 | 第31-60页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 IC Si BJT的仿真模型的发展 | 第31-42页 |
| 3.2.1 E-M1模型 | 第31-33页 |
| 3.2.2 E-M2模型 | 第33-34页 |
| 3.2.3 E-M3模型 | 第34-37页 |
| 3.2.4 SGP模型 | 第37-42页 |
| 3.3 SiC BJT的SGP1的提出 | 第42-48页 |
| 3.3.1 集成Si BJT和功率SiC BJT | 第43页 |
| 3.3.2 功率SiC BJT的SGP模型简化 | 第43-47页 |
| 3.3.3 SiC BJT的外基区表面复合效应 | 第47-48页 |
| 3.4 SiC BJT的SGP1模型 | 第48-59页 |
| 3.4.1 功率SiC BJT的SGP1模型拓扑结构 | 第48-49页 |
| 3.4.2 功率SiC BJT的SGP1模型参数 | 第49页 |
| 3.4.3 功率SiC BJT的SGP1模型参数的提取流程及提取结果 | 第49-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-60页 |
| 第4章 SiC BJT的SGP1模型的验证 | 第60-77页 |
| 4.1 仿真软件LTspice | 第60-61页 |
| 4.2 模型参数的拟合验证 | 第61-62页 |
| 4.3 随温度变化的静态特性拟合 | 第62-66页 |
| 4.3.1 T=300时静态特性曲线的拟合 | 第63-64页 |
| 4.3.2 T=325K,350K,375K时静态特性曲线的拟合 | 第64-66页 |
| 4.4 SiC BJT的开关特性拟合 | 第66-76页 |
| 4.4.1 双脉冲测量原理 | 第66-67页 |
| 4.4.2 双脉冲测量参数 | 第67-68页 |
| 4.4.3 SiC BJT的双脉冲测量电路 | 第68-72页 |
| 4.4.4 SiC BJT的双脉冲仿真电路 | 第72页 |
| 4.4.5 SiC BJT的SGP1模型的瞬态特性拟合 | 第72-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第5章 SGP1模型在Boost-Chopper中的应用 | 第77-88页 |
| 5.1 引言 | 第77-78页 |
| 5.2 SiC BJT的自适应驱动电路 | 第78-80页 |
| 5.2.1 SiC BJT的驱动概述 | 第78-79页 |
| 5.2.2 SiC BJT的自适应驱动方式 | 第79-80页 |
| 5.3 Boost-Chopper等效仿真电路 | 第80-83页 |
| 5.3.1 Boost-Chopper原理 | 第80-81页 |
| 5.3.2 Boost-Chopper仿真电路参数 | 第81-82页 |
| 5.3.3 Boost-Chopper仿真电路拓扑结构 | 第82-83页 |
| 5.4 仿真结果对比及SGP1模型的验证 | 第83-87页 |
| 5.4.1 用SGP1模型描述SiC BJT的Boost-Chopper的仿真结果 | 第83-85页 |
| 5.4.2 用SGP1模型描述SiC BJT的Boost-Chopper的实验结果 | 第85-86页 |
| 5.4.3 功耗组成比较 | 第86-87页 |
| 5.5 本章小结 | 第87-88页 |
| 结论与展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 附录 攻读学位期间取得的研究成果 | 第95页 |
