| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 二硫化钼概述 | 第17-22页 |
| 1.2.1 二硫化钼结构 | 第17-18页 |
| 1.2.2 二硫化钼薄膜的应用 | 第18-20页 |
| 1.2.3 二硫化钼的特性 | 第20-22页 |
| 1.3 二硫化钼薄膜材料制备方法的研究现状 | 第22-24页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第22页 |
| 1.3.2 化学剥离法 | 第22-23页 |
| 1.3.3 高温热解法 | 第23页 |
| 1.3.4 化学气相沉积 | 第23-24页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第24-27页 |
| 1.4.1 本论文的研究内容 | 第25页 |
| 1.4.2 创新点 | 第25-27页 |
| 第二章 实验设备及方案 | 第27-33页 |
| 2.1 实验方案设计 | 第27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-28页 |
| 2.2.1 材料与试剂 | 第27-28页 |
| 2.2.2 仪器 | 第28页 |
| 2.3 表征技术 | 第28-31页 |
| 2.3.1 物相分析XRD | 第28页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
| 2.3.3 综合物性测量系统(PPMS) | 第29-30页 |
| 2.3.4 电子顺磁共振(ESR) | 第30页 |
| 2.3.5 拉曼光谱(Raman) | 第30页 |
| 2.3.6 原子力显微镜(AFM) | 第30-31页 |
| 2.3.7 紫外可见光分析(UV-vis) | 第31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 磁控溅射和CVD制备二硫化钼薄膜 | 第33-45页 |
| 3.1 引言 | 第33页 |
| 3.2 实验过程 | 第33-36页 |
| 3.2.1 基底处理 | 第33页 |
| 3.2.2 Sputtering过程 | 第33-35页 |
| 3.2.3 CVD硫化过程 | 第35-36页 |
| 3.3 工艺参数对二硫化钼薄膜的影响及结果分析 | 第36-42页 |
| 3.3.1 不同的溅射温度和不同的基底对Mo膜的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.2 不同的硫化温度对二硫化钼薄膜的影响 | 第37-39页 |
| 3.3.3 硫粉的量对二硫化钼薄膜的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.4 不同的溅射时间对二硫化钼膜的厚度的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.5 气氛流速对二硫化钼薄膜的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 两步热解法制备二硫化钼薄膜 | 第45-57页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 两步热解工艺的基本流程 | 第46-47页 |
| 4.3 工艺参数对二硫化钼薄膜的影响 | 第47-55页 |
| 4.3.1 第二次热解温度的作用 | 第47-48页 |
| 4.3.2 不同的气氛环境对二硫化钼薄膜的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.3 额外的硫粉对二硫化钼薄膜的作用 | 第50-51页 |
| 4.3.4 不同的热解温度对二硫化钼薄膜质量的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.5 不同的旋涂速度和层数对薄膜厚度的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.6 不同的溶液浓度对二硫化钼薄膜质量的影响 | 第54-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 二硫化钼薄膜性能分析 | 第57-73页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 测试样品制备条件 | 第57页 |
| 5.3 性能表征 | 第57-71页 |
| 5.3.1 拉曼光谱(Raman)表征 | 第58-63页 |
| 5.3.2 紫外可见吸收光谱( UV-vis )表征 | 第63-64页 |
| 5.3.3 磁滞回线(M-H)分析 | 第64-67页 |
| 5.3.4 电子顺磁共振(EPR)分析 | 第67-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第六章 结论和展望 | 第73-77页 |
| 6.1 研究结论 | 第73-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |
