| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-33页 |
| 1.1 光电化学生物传感器概述 | 第11-12页 |
| 1.2 光电化学传感器的设计理念 | 第12-14页 |
| 1.3 光电材料的选择 | 第14-19页 |
| 1.3.1 单一半导体 | 第14页 |
| 1.3.2 半导体-碳材料复合物 | 第14-15页 |
| 1.3.3 半导体-半导体复合材料 | 第15-18页 |
| 1.3.4 半导体-纳米贵金属复合物 | 第18-19页 |
| 1.3.5 Z-scheme策略 | 第19页 |
| 1.4 信号放大策略 | 第19-26页 |
| 1.4.1 基于原位生成技术的信号放大策略 | 第19-20页 |
| 1.4.2 基于酶催化技术的信号放大策略 | 第20-22页 |
| 1.4.3 基于DNA生物技术的信号放大策略 | 第22-26页 |
| 1.5 电极修饰和识别元件的固定方式 | 第26-27页 |
| 1.6 功能核酸的基本概念及应用 | 第27-31页 |
| 1.6.1 功能核酸的基本概念 | 第27-29页 |
| 1.6.2 功能核酸的应用 | 第29-31页 |
| 1.7 本课题的研究目的和意义 | 第31-33页 |
| 第2章 基于苝四羧酸功能化石墨烯原位生成纳米金等离子体增强光电化学适配体传感 | 第33-47页 |
| 2.1 引言 | 第33-35页 |
| 2.2 实验方法 | 第35-37页 |
| 2.2.1 实验材料与化学试剂 | 第35页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第35-36页 |
| 2.2.3 PTCA/GR复合材料的制备 | 第36-37页 |
| 2.2.4 汞离子光电化学传感器的制备及检测方法 | 第37页 |
| 2.2.5 安全提示 | 第37页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第37-46页 |
| 2.3.1 PTCA/GR的形貌和光谱表征 | 第37-39页 |
| 2.3.2 T-Hg~(2+)-T特异性的拉曼光谱和圆二色光谱表征 | 第39-41页 |
| 2.3.3 原位生成纳米金的扫描电镜形貌表征 | 第41页 |
| 2.3.4 纳米金等离子体对光电流的增强响应及其机理 | 第41-42页 |
| 2.3.5 实验条件的优化 | 第42-43页 |
| 2.3.6 汞离子光电化学传感器的分析性能 | 第43-46页 |
| 2.3.7 干扰及实样检测 | 第46页 |
| 2.4 小结 | 第46-47页 |
| 第3章 原位形成AgBr敏化ZnO纳米棒基光电化学适配体传感 | 第47-58页 |
| 3.1 引言 | 第47-49页 |
| 3.2 实验方法 | 第49-50页 |
| 3.2.1 实验材料与化学试剂 | 第49页 |
| 3.2.2 仪器或设备 | 第49页 |
| 3.2.3 传感器的构建及检测程序 | 第49-50页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第50-57页 |
| 3.3.1 ZnO Nanorods和AgBr/ZnO Nanorods的FESEM表征 | 第50-51页 |
| 3.3.2 ZnO NRs、AgBr、ZnO NRs/AgBr的XRD和UV-Vis DRS表征 | 第51-53页 |
| 3.3.3 原位生成的AgBr对ZnO NRs光电流的敏化作用及机理 | 第53-54页 |
| 3.3.4 实验条件的优化 | 第54-55页 |
| 3.3.5 银离子光电化学传感器的分析性能 | 第55-56页 |
| 3.3.6 干扰及实样检测 | 第56-57页 |
| 3.4 小结 | 第57-58页 |
| 第4章 锰掺杂氧化锌纳米棒基免标记光电化学适配体传感 | 第58-69页 |
| 4.1 引言 | 第58-59页 |
| 4.2 实验方法 | 第59-61页 |
| 4.2.1 材料与试剂 | 第59-60页 |
| 4.2.2 仪器与设备 | 第60页 |
| 4.2.3 锰掺杂氧化锌纳米棒的制备 | 第60页 |
| 4.2.4 钾离子传感器的制备及检测 | 第60-61页 |
| 4.2.5 实样检测 | 第61页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第61-67页 |
| 4.3.1 氧化锌纳米棒及锰掺杂氧化锌纳米棒阵列的表征 | 第61-64页 |
| 4.3.2 增强的光电流响应和光电化学传感机理 | 第64-65页 |
| 4.3.3 分析性能 | 第65-67页 |
| 4.3.4 干扰及实样检测 | 第67页 |
| 4.4 小结 | 第67-69页 |
| 第五章 无序光子学耦合嵌入型纳米金等离子体增强氧化锌纳米线光电流 | 第69-82页 |
| 5.1 引言 | 第69-71页 |
| 5.2 实验方法 | 第71-72页 |
| 5.2.1 材料与试剂 | 第71页 |
| 5.2.2 仪器与设备 | 第71页 |
| 5.2.3 电化学合成纳米金 | 第71-72页 |
| 5.2.4 电沉积氧化锌纳米线阵列至纳米金表面 | 第72页 |
| 5.2.5 光电流的测试方法 | 第72页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第72-81页 |
| 5.3.1 Nano-Au、ZnO纳米线阵列和Au/ZnO纳米线阵列表征 | 第72-75页 |
| 5.3.2 纳米金的制备条件优化及光电流的增强效果 | 第75-78页 |
| 5.3.3 沉积电位对Nano-Au和Au-ZnO纳米线阵列形貌的影响 | 第78-79页 |
| 5.3.4 光电流增强机理推测 | 第79-81页 |
| 5.4 小结 | 第81-82页 |
| 第6章 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-117页 |
| 在读期间发表的学术论文及研究成果 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
