| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6页 |
| 目 录 | 第8-10页 |
| 第一章、 绪 论 | 第10-16页 |
| 1．1 研究的背景和意义： | 第10-12页 |
| 1．2 QCM传感器的制备技术 | 第12-13页 |
| 1．3 低温等离子体用于制备特性传感膜 | 第13-14页 |
| 1．4 本文所做主要工作简介 | 第14-16页 |
| 1．4．1． 等离子体基本理论介绍 | 第14页 |
| 1．4．2 液相中甲酸传感器的制备与测试 | 第14页 |
| 1．4．3． 生物传感器的制备与测试 | 第14-15页 |
| 1．4．4． 等离子体处理三乙醇胺涂膜传感器的制备与测试 | 第15-16页 |
| 第二章 等离子体基本理论 | 第16-37页 |
| 第一节 等离子体的基本性质 | 第16-25页 |
| 2．1．1 等离子体的概念 | 第16-17页 |
| 2．1．2 等离子体的主要特征量及基本性质 | 第17-23页 |
| 2．1．3 等离子体的状态 | 第23-25页 |
| 第二节 低温等离子体的发生与反应 | 第25-30页 |
| 2．2．1． 放电的击穿和起始电压： | 第25-27页 |
| 2．2．2． 辉光放电 | 第27-28页 |
| 2．2．3． 高频放电 | 第28-30页 |
| 第三节 低温等离子体与成膜 | 第30-37页 |
| 2．3．1． 低温等离子体成膜的基本理论与应用概述： | 第30-32页 |
| 2．3．2． 等离子体CVD和等离子体聚合 | 第32-35页 |
| 2．3．3． 用低温等高子体进行表面改质 | 第35-37页 |
| 第三章 实验与分析 | 第37-50页 |
| 第一节、 低温等离子体工艺方法 | 第37-43页 |
| 3．1．1 等离子体工艺的设备与仪器 | 第37-38页 |
| 3．1．2 含胺氢化碳膜的PECVD淀积工艺 | 第38-40页 |
| 3．1．3 等离子体工艺对淀积膜质量的影响 | 第40-42页 |
| 3．1．4 三乙醇胺涂膜的等离子体表面处理 | 第42-43页 |
| 第三节 QCM传感器 | 第43-46页 |
| 3．3．1 石英晶体的压电效应 | 第44-45页 |
| 3．3．2 QCM传感器的工作原理 | 第45-46页 |
| 第四节 等离子体制备的QCM传感器的性能检测 | 第46-50页 |
| 3．4．1 性能检测用仪器与设备： | 第46页 |
| 3．4．2 实验测试装置： | 第46-48页 |
| 3．4．3 QCM化学传感器的实验方法和检测程序： | 第48页 |
| 3．4．4 QCM生物传感器的制备与性能测试 | 第48-50页 |
| 第四章、 低温等离子体QCM化学传感器 | 第50-61页 |
| 第一节 等离子体工艺制备的薄膜分析 | 第50-53页 |
| 4．1．1 含胺氢化碳膜的红外光谱分析 | 第50-51页 |
| 4．1．2 三乙醇胺涂膜等离子体处理后的红外光谱分析 | 第51-53页 |
| 第二节、 含胺氢化碳膜修饰的QCM传感器对液相有机物质的响应 | 第53-55页 |
| 第三节 含胺氢化碳膜修饰的QCM化学传感器的器件性能 | 第55-56页 |
| 4．3．1 QCM化学传感器的重现性和稳定性 | 第55页 |
| 4．3．2 QCM化学传感器的温漂 | 第55页 |
| 4．3．3 QCM化学传感器的时间特性： | 第55-56页 |
| 第三节 三乙醇胺涂膜QCM传感器 | 第56-61页 |
| 4．3．1 等离子体处理前三乙醇胺涂膜QCM传感器的响应性能 | 第56-57页 |
| 4．3．2 等离子体处理后三乙醇胺涂膜QCM传感器的响应性能 | 第57-58页 |
| 4．3．3 处理后三乙醇胺涂膜QCM传感器的器件性能 | 第58-61页 |
| 第五章、 QCM生物传感器 | 第61-69页 |
| 第一节 生物传感器的基本结构与工作原理 | 第61-64页 |
| 5．1．1． 生物传感器的定义 | 第61-62页 |
| 5．1．2 生物传感器基本结构 | 第62页 |
| 5．1．3 生物传感器的工作原理及类型 | 第62-64页 |
| 第二节、 日本血吸虫病QCM免疫传感器 | 第64-69页 |
| 5．2．1、 生物免疫传感器简介 | 第64页 |
| 5．2．2、 日本血吸虫病QCM免疫传感器 | 第64-69页 |
| 第六章、 结 论 | 第69-76页 |
| 致 谢 | 第76页 |
