| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 Cu_2O薄膜的概述 | 第8-17页 |
| 1.2.1 Cu_2O薄膜的结构与性质 | 第8-9页 |
| 1.2.2 Cu_2O薄膜的制备方法 | 第9-11页 |
| 1.2.3 Cu_2O薄膜的研究进展 | 第11-17页 |
| 1.3 本论文选题依据和主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 样品的制备技术与表征手段 | 第19-31页 |
| 2.1 原子层沉积技术 | 第19-22页 |
| 2.1.1 原子层沉积技术的原理 | 第19-20页 |
| 2.1.2 原子层沉积技术的特点 | 第20-21页 |
| 2.1.3 原子层沉积技术的种类 | 第21页 |
| 2.1.4 原子层沉积技术的应用 | 第21-22页 |
| 2.2 样品的表征手段 | 第22-30页 |
| 2.2.1 表面形貌(AFM)表征 | 第22-24页 |
| 2.2.2 紫外可见吸收光谱 | 第24-25页 |
| 2.2.3 X射线衍射技术 | 第25-27页 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱 | 第27-29页 |
| 2.2.5 电学性质(Hall)测试 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 原子层沉积生长Cu_2O薄膜及物性研究 | 第31-42页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 原子层沉积生长Cu_2O薄膜过程 | 第31-34页 |
| 3.2.1 Cu_2O薄膜的实验条件 | 第31-33页 |
| 3.2.2 Cu_2O薄膜的制备过程 | 第33-34页 |
| 3.3 Cu_2O薄膜的物理性质研究 | 第34-40页 |
| 3.3.1 薄膜的厚度分析 | 第34页 |
| 3.3.2 紫外可见吸收光谱分析 | 第34-36页 |
| 3.3.3 X射线衍射测试分析 | 第36-38页 |
| 3.3.4 X射线光电子能谱分析 | 第38-39页 |
| 3.3.5 电学性质(Hall)分析 | 第39-40页 |
| 3.3.6 原子力显微镜分析 | 第40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 原子层沉积生长N掺杂Cu_2O薄膜及物性研究 | 第42-50页 |
| 4.1 引言 | 第42-43页 |
| 4.2 原子层沉积生长N掺杂Cu_2O薄膜过程 | 第43-45页 |
| 4.2.1 N掺杂Cu_2O薄膜的实验条件 | 第43-44页 |
| 4.2.2 N掺杂Cu_2O薄膜的实验过程 | 第44-45页 |
| 4.3 N掺杂Cu_2O薄膜的物理性质研究 | 第45-48页 |
| 4.3.1 N掺杂Cu_2O的吸收光谱分析 | 第45-46页 |
| 4.3.2 N掺杂Cu_2O的XPS测试分析 | 第46-47页 |
| 4.3.3 N掺杂Cu_2O的电学性质(Hall)分析 | 第47-48页 |
| 4.3.4 N掺杂Cu_2O的原子力显微镜分析 | 第48页 |
| 4.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 硕士期间论文发表情况 | 第57页 |