| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.1.1 传统微通道板的缺点 | 第9-10页 |
| 1.1.2 薄膜打拿极技术的提出 | 第10-12页 |
| 1.1.3 ALD-MCP的国内外研究现状 | 第12页 |
| 1.2 微通道板的概述 | 第12-15页 |
| 1.2.1 微通道板的结构及基本工作原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 玻璃微通道板的类型 | 第13-14页 |
| 1.2.3 微通道板的应用 | 第14-15页 |
| 1.3 AT-MCP薄膜打拿极技术 | 第15-16页 |
| 1.4 原子层沉积技术 | 第16-19页 |
| 1.4.1 原子层沉积技术原理 | 第16-17页 |
| 1.4.2 原子层沉积技术的特点及优势 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 微通道板薄膜打拿极结构设计 | 第21-34页 |
| 2.1 微通道板的增益特性及二次电子发射基本原理 | 第21-24页 |
| 2.1.1 微通道板增益特性分析 | 第21-22页 |
| 2.1.2 二次电子发射基本原理 | 第22-24页 |
| 2.2 薄膜打拿极导电层的设计 | 第24-29页 |
| 2.2.1 微通道板体电阻分析 | 第24-26页 |
| 2.2.2 导电层电阻的计算 | 第26-27页 |
| 2.2.3 导电层薄膜材料的选择 | 第27-28页 |
| 2.2.4 ALD-AZO薄膜厚度及ZnO循环百分比的计算 | 第28-29页 |
| 2.3 薄膜打拿极发射层的设计 | 第29-34页 |
| 2.3.1 发射层薄膜材料的选取 | 第29-30页 |
| 2.3.2 SiO_2发射层薄膜厚度的设计 | 第30-34页 |
| 第三章 微通道板薄膜打拿极制备实验及性能测试 | 第34-45页 |
| 3.1 ALD-AZO导电层薄膜的制备实验 | 第34-37页 |
| 3.1.1 实验设备及实验材料 | 第34-35页 |
| 3.1.2 制备ALD-AZO薄膜的实验步骤 | 第35-37页 |
| 3.2 ALD-SiO_2发射层薄膜的制备实验 | 第37-40页 |
| 3.2.1 实验设备及实验材料 | 第37-38页 |
| 3.2.2 制备ALD-SiO_2薄膜的实验步骤 | 第38-40页 |
| 3.3 薄膜打拿极薄膜性能测试 | 第40-45页 |
| 3.3.1 ALD-AZO导电层薄膜方块电阻测试 | 第40-42页 |
| 3.3.2 ALD-AZO薄膜微观形貌及组分测试 | 第42-43页 |
| 3.3.3 ALD-SiO_2发射层薄膜二次电子发射系数测试 | 第43-45页 |
| 第四章 AZO薄膜性能及SiO_2薄膜二次电子发射特性研究 | 第45-57页 |
| 4.1 ALD-AZO薄膜理想Zn含量计算公式的修正 | 第45-47页 |
| 4.2 ALD-AZO薄膜结构及组分分析 | 第47-50页 |
| 4.2.1 ALD-AZO薄膜微观形貌分析 | 第47-48页 |
| 4.2.2 ALD-AZO薄膜结构分析 | 第48页 |
| 4.2.3 ALD-AZO薄膜组分分析 | 第48-50页 |
| 4.3 ALD-AZO薄膜电阻特性研究 | 第50-54页 |
| 4.3.1 沉积温度对ALD-AZO薄膜电阻的影响 | 第50-51页 |
| 4.3.2 ZnO循环百分比对ALD-AZO薄膜电阻的影响 | 第51-52页 |
| 4.3.3 薄膜结构对ALD-AZO薄膜电阻的影响 | 第52-54页 |
| 4.4 ALD-SiO_2薄膜二次电子发射特性研究 | 第54-57页 |
| 4.4.1 薄膜厚度对ALD-SiO_2薄膜二次电子发射系数的影响 | 第54-55页 |
| 4.4.2 样品偏压对ALD-SiO_2薄膜二次电子发射系数的影响 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第63页 |
