| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 微通道板简介 | 第8-10页 |
| 1.1.1 微通道板工作原理 | 第8-9页 |
| 1.1.2 微通道板的应用 | 第9-10页 |
| 1.2 硅微通道板概述 | 第10-12页 |
| 1.2.1 硅微通道板国内外发展现状 | 第10-11页 |
| 1.2.2 硅微通道板基体制备工艺流程 | 第11页 |
| 1.2.3 硅微通道板氧化绝缘方法及存在问题 | 第11-12页 |
| 1.3 主要研究内容及意义 | 第12-13页 |
| 第二章 硅微通道列阵厚层氧化工艺实验研究 | 第13-27页 |
| 2.1 硅厚层氧化理论分析 | 第13-18页 |
| 2.2 硅微通道列阵厚层氧化实验 | 第18-27页 |
| 2.2.1 硅微通道列阵样品制备 | 第18-21页 |
| 2.2.2 硅微通道列阵厚层氧化实验流程和工艺参数 | 第21-24页 |
| 2.2.3 硅微通道列阵性能测试表征 | 第24-27页 |
| 第三章 硅微通道板厚层氧化实验结果分析 | 第27-43页 |
| 3.1 硅微通道氧化前后结构分析 | 第27-29页 |
| 3.1.1 氧化前Si-MCP通道结构分析 | 第27-28页 |
| 3.1.2 氧化后Si-MCP通道结构分析 | 第28-29页 |
| 3.2 硅微通道板厚层氧化速率分析 | 第29-34页 |
| 3.2.1 氧化时间对氧化厚度的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2 水浴温度对氧化速率的影响 | 第31-32页 |
| 3.2.3 氧化温度对湿氧氧化速率的影响 | 第32-34页 |
| 3.3 硅微通道板氧化后形变分析 | 第34-36页 |
| 3.3.1 氧化温度对形变的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.2 硅微通道板基底厚度对型变的影响 | 第35页 |
| 3.3.3 退火方式对氧化后硅微通道板翘曲率影响 | 第35-36页 |
| 3.4 硅微通道列阵厚层氧化热应力有限元分析 | 第36-39页 |
| 3.4.1 ANSYS有限元热应力模拟过程 | 第36-38页 |
| 3.4.2 模拟结果分析 | 第38-39页 |
| 3.5 硅微通道板氧化绝缘层击穿电压特性分析 | 第39-43页 |
| 3.5.1 硅微通道列阵氧化层厚度对击穿电压的影响 | 第39-40页 |
| 3.5.2 退火对硅微通道板绝缘层击穿电压的影响 | 第40-43页 |
| 第四章 硅微通道板形变约束氧化过程研究 | 第43-49页 |
| 4.1 整形实验存在问题 | 第43-44页 |
| 4.1.1 整形实验介绍 | 第43-44页 |
| 4.1.2 整形实验结果分析 | 第44页 |
| 4.2 约束氧化工艺实验 | 第44-47页 |
| 4.2.1 形变约束氧化实验设计 | 第44-45页 |
| 4.2.2 约束氧化实验流程 | 第45-46页 |
| 4.2.3 形变约束氧化后平整度测量方法 | 第46-47页 |
| 4.3 实验结果分析 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 已发表论文成果 | 第53页 |