| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 一维纳米结构的气相合成 | 第8-10页 |
| 1.1.1 气-固 (V-S) 生长过程 | 第8-9页 |
| 1.1.2 气-液-固 (V-L-S) 生长过程 | 第9-10页 |
| 1.2 CdS在光探测器件中的应用 | 第10页 |
| 1.3 CdS一维纳米结构的改性 | 第10-20页 |
| 1.3.1 材料与电极接触方式 | 第10-11页 |
| 1.3.2 气相掺杂 | 第11-14页 |
| 1.3.3 异质结的构筑 | 第14-18页 |
| 1.3.4 合金化 | 第18-20页 |
| 1.4 选题思路和意义 | 第20-22页 |
| 2 实验分析测试及器件构筑方法 | 第22-28页 |
| 2.1 实验分析测试方法 | 第22-24页 |
| 2.1.1 场发射扫描电子显微镜 (FSEM) | 第22页 |
| 2.1.2 场发射透射电子显微镜 (FTEM) | 第22-23页 |
| 2.1.3 X射线衍射 (XRD) 仪 | 第23页 |
| 2.1.4 拉曼 (Raman) 光谱仪 | 第23页 |
| 2.1.5 紫外可见 (Uv-Vis) 分光光度计 | 第23页 |
| 2.1.6 半导体分析测试系统 | 第23-24页 |
| 2.2 光电探测器件的构筑 | 第24-26页 |
| 2.3 实验主要试剂和装置 | 第26-28页 |
| 2.3.1 实验主要试剂 | 第26-27页 |
| 2.3.2 实验仪器及设备 | 第27-28页 |
| 3 离子交换法合成CdS/PbS一维纳米结构及其性能研究 | 第28-46页 |
| 3.1 实验部分 | 第29-31页 |
| 3.1.1 气相法合成CdS一维纳米结构 | 第29-30页 |
| 3.1.2 离子交换法合成CdS/PbS纳米结构 | 第30-31页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第31-44页 |
| 3.2.1 形貌与结构分析 | 第31-36页 |
| 3.2.2 离子交换过程推断 | 第36-37页 |
| 3.2.3 基于单根纳米线器件光电性能的测试 | 第37-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 成分可调CdS_(1-x)Se_x纳米线的制备及性能研究 | 第46-60页 |
| 4.1 成分可调CdS_(1-x)Se_x三元成分纳米线的气相合成 | 第46-48页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第48-58页 |
| 4.2.1 形貌与结构分析 | 第48-52页 |
| 4.2.2 光学性能研究 | 第52-55页 |
| 4.2.3 基于单根纳米线器件光电性能的测试 | 第55-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 5 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第72页 |
