| 中文摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 爆炸物检测的重要性及现有的检测手段 | 第9页 |
| 1.2 气敏传感器的发展历程 | 第9-10页 |
| 1.3 气敏传感器主要特性 | 第10-11页 |
| 1.4 氧化锌的制备及其传感器研究现状 | 第11-15页 |
| 1.5 提高半导体气敏元件气敏性能的有效方法 | 第15-20页 |
| 1.5.1 材料尺寸和形貌 | 第15-16页 |
| 1.5.2 贵金属，稀土元素修饰 | 第16页 |
| 1.5.3 温度和湿度 | 第16-17页 |
| 1.5.4 光增强下的气敏性能 | 第17-18页 |
| 1.5.5 晶面调控 | 第18-19页 |
| 1.5.6 制作传感器阵列 | 第19-20页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第20-23页 |
| 1.6.1 研究思路 | 第20页 |
| 1.6.2 研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 水热法制备花状纳米氧化锌 | 第23-29页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 实验和材料 | 第23-24页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第24-28页 |
| 2.4 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 紫外光增强的氧化锌传感器 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验部分 | 第29-32页 |
| 3.2.1 试剂和材料 | 第29-30页 |
| 3.2.2 制备花状氧化锌 | 第30页 |
| 3.2.3 制备氧化锌纳米晶 | 第30页 |
| 3.2.4 花状氧化锌和氧化锌的表征 | 第30页 |
| 3.2.5 器件制备与气敏测试 | 第30-32页 |
| 3.3 材料结构形貌和性能表征 | 第32-35页 |
| 3.3.1 花状ZnO和ZnO纳米晶扫描电镜和XRD表征 | 第32-33页 |
| 3.3.2 花状氧化锌和氧化锌纳米晶的紫外可见吸收 | 第33-34页 |
| 3.3.3 花状氧化锌和氧化锌纳米晶的光电流测量 | 第34-35页 |
| 3.4 花状氧化锌在紫外光下的光电气敏性能 | 第35-39页 |
| 3.4.1 在不同气氛下的光电响应 | 第35-37页 |
| 3.4.2 在不同气氛中花状氧化锌中的电子传输 | 第37-38页 |
| 3.4.3 暗条件下的气敏性能和增强的气敏性能 | 第38-39页 |
| 3.5 结论 | 第39-41页 |
| 第四章 锰掺杂的花状氧化锌传感器阵列 | 第41-53页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 实验部分 | 第41-43页 |
| 4.2.1 主要试剂 | 第41页 |
| 4.2.2 合成锰掺杂的氧化锌 | 第41-42页 |
| 4.2.3 传感器的构造和气敏测试 | 第42-43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-52页 |
| 4.3.1 锰掺杂ZnO的XRD表征 | 第43-44页 |
| 4.3.2 锰掺杂ZnO的SEM表征 | 第44-45页 |
| 4.3.3 锰掺杂氧化锌对爆炸物的响应 | 第45-48页 |
| 4.3.4 主成分分析法的介绍 | 第48-49页 |
| 4.3.5 锰掺杂氧化锌传感器的设计 | 第49-51页 |
| 4.3.6 气敏响应机理的分析 | 第51-52页 |
| 4.4 小结 | 第52-53页 |
| 第五章 结果与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第63页 |