基于三维多孔微-纳结构Cu（N₃）₂原位合成的MEMS含能芯片研究

摘要	第5-6页
Abstract	第6-7页
1 绪论	第10-17页
1.1 研究背景及意义	第10页
1.2 国内外研究现状及发展动态分析	第10-13页
1.2.1 含能芯片研究现状	第10-13页
1.3 叠氮化铜的原位制备研究现状	第13-15页
1.4 本论文主要工作	第15-17页
2 叠氮化铜制备及表征	第17-40页
2.1 试验装置、仪器和药品	第17-19页
2.1.1 实验装置	第17页
2.1.2 实验药品	第17-18页
2.1.3 实验仪器	第18-19页
2.2 实验过程	第19-27页
2.2.1 多孔铜的制备	第19-25页
2.2.2 叠氮化铜的制备	第25-27页
2.3 叠氮化铜原位合成影响因素研究	第27-38页
2.3.1 铜的价态对叠氮化过程影响研究	第27-28页
2.3.2 添加剂对对叠氮化过程影响研究	第28-35页
2.3.3 叠氮化时间对叠氮化过程影响研究	第35-38页
2.4 本章小结	第38-40页
3 MEMS含能芯片的设计、制备及测试	第40-50页
3.1 点火桥的设计	第40-42页
3.2 MEMS芯片的制备	第42-48页
3.2.1 光刻	第42-45页
3.2.2 磁控溅射镀膜	第45-47页
3.2.3 点火桥的点火性能测试	第47-48页
3.3 MEMS含能芯片的点火试验	第48-49页
3.4 本章小结	第49-50页
4 结论与展望	第50-52页
4.1 本文总结	第50-51页
4.2 不足与展望	第51-52页
致谢	第52-53页
参考文献	第53-59页
附录	第59页