| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 课题来源、研究内容及意义 | 第16-19页 |
| 第2章 虚拟衬底应变Si/SiGe HBT的器件建模及特性分析 | 第19-39页 |
| 2.1 虚拟衬底应变Si/SiGe HBT模型的建立 | 第19-25页 |
| 2.2 器件内部应力的提取 | 第25-26页 |
| 2.3 器件直流特性的提取 | 第26-29页 |
| 2.4 器件频率特性的提取 | 第29-32页 |
| 2.5 器件的击穿特性分析 | 第32-34页 |
| 2.6 器件温度敏感性分析 | 第34-37页 |
| 2.7 本章小结 | 第37-39页 |
| 第3章 虚拟衬底应变Si/SiGe HBT击穿电压改善技术研究 | 第39-59页 |
| 3.1 新型集电区纵向超结(VSJ)结构设计 | 第39-47页 |
| 3.1.1 设计思想 | 第39-41页 |
| 3.1.2 VSJ结构对器件击穿电压的改善 | 第41-47页 |
| 3.2 新型集电区横向超结(LSJ)结构设计 | 第47-56页 |
| 3.2.1 设计思想 | 第47-49页 |
| 3.2.2 LSJ结构对器件击穿电压的改善 | 第49-56页 |
| 3.3 本章小结 | 第56-59页 |
| 第4章 虚拟衬底应变Si/SiGe HBT温度敏感性改善技术研究 | 第59-71页 |
| 4.1 LSJ结构设计对器件温度分布的改善 | 第59-62页 |
| 4.1.1 掺杂浓度与热导率的关系 | 第59-60页 |
| 4.1.2 LSJ结构对器件集电区材料热导率的改善 | 第60-61页 |
| 4.1.3 具有LSJ结构器件的温度分布 | 第61-62页 |
| 4.2 基区Ge组分梯形设计对器件电学特性温度敏感性的改善 | 第62-67页 |
| 4.2.1 设计思想 | 第62-64页 |
| 4.2.2 具有基区Ge组分梯形分布结构器件的电学特性温度敏感性 | 第64-67页 |
| 4.3 兼具LSJ结构和基区Ge组分梯形分布的新型应变Si/SiGe HBT | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 结论 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
