| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第17-39页 |
| 1.1 液晶 | 第17-19页 |
| 1.1.1 液晶的分类 | 第17-19页 |
| 1.1.1.1 棒状的液晶分子 | 第17-18页 |
| 1.1.1.2 盘状的液晶分子 | 第18页 |
| 1.1.1.3 香蕉型液晶分子 | 第18-19页 |
| 1.2 盘状液晶 | 第19-31页 |
| 1.2.1 盘状液晶的基本结构特点 | 第20-31页 |
| 1.2.1.1 六方柱状相Col_h | 第20-26页 |
| 1.2.1.2 四方柱状相Col_r | 第26-28页 |
| 1.2.1.3 倾斜柱状相Col_(ob) | 第28页 |
| 1.2.1.4 盘状向列相N_D | 第28-29页 |
| 1.2.1.5 柱状向列相N_C | 第29-30页 |
| 1.2.1.6 层状相D_L | 第30-31页 |
| 1.3 苝酰亚胺类盘状液晶 | 第31-37页 |
| 1.3.1 苝酰亚胺衍生物的合成方法 | 第32-33页 |
| 1.3.2 硅氧烷 | 第33页 |
| 1.3.3 苝酰亚胺类盘状液晶 | 第33-34页 |
| 1.3.4 苝酰亚胺类盘状液晶在电子器件中的应用 | 第34-36页 |
| 1.3.4.1 有机场效应晶体管(OFET) | 第35页 |
| 1.3.4.2 有机发光二极管(OLED) | 第35-36页 |
| 1.3.4.3 太阳能电池(Solar Cell) | 第36页 |
| 1.3.5 苝酰亚胺类盘状液晶的纳米结构调控 | 第36-37页 |
| 1.4 本论文研究的目的和意义 | 第37页 |
| 1.5 本论文研究的创新点 | 第37-39页 |
| 第二章 苝酰亚胺类小分子盘状液晶的合成与表征 | 第39-67页 |
| 2.1 引言 | 第39页 |
| 2.2 实验部分 | 第39-53页 |
| 2.2.1 仪器设备 | 第40页 |
| 2.2.2 合成方法及步骤 | 第40-53页 |
| 2.2.2.1 苝酰亚胺衍生物有机硅基单体(PBICLs)的合成与表征 | 第40-53页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第53-65页 |
| 2.3.1 PBICLs热力学表征 | 第53-56页 |
| 2.3.1.1 PBICLs的TGA测试 | 第53页 |
| 2.3.1.2 PBICLs的DSC测试 | 第53-56页 |
| 2.3.2 PBICLs的光学表征 | 第56-62页 |
| 2.3.2.1 PBICLs的POM表征 | 第56-59页 |
| 2.3.2.2 PBICLs的紫外测试 | 第59-61页 |
| 2.3.2.3 PBICLs薄膜的偏振紫外测试 | 第61-62页 |
| 2.3.3 PBICLs的SAXS和WAXS测试 | 第62-64页 |
| 2.3.4 PBICLs的电化学表征 | 第64-65页 |
| 2.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第三章 菲酰亚胺类聚合物盘状液晶的合成与表征 | 第67-89页 |
| 3.1 引言 | 第67页 |
| 3.2 实验部分 | 第67-78页 |
| 3.2.1 仪器设备 | 第67-68页 |
| 3.2.2 合成方法及步骤1991 | 第68-78页 |
| 3.2.2.1 苝酰亚胺衍生物单体的合成与表征 | 第68-69页 |
| 3.2.2.2 噻吩衍生物单体的合成与表征 | 第69-75页 |
| 3.2.2.3 苝酰亚胺和噻吩的聚合物的合成 | 第75-78页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第78-87页 |
| 3.3.1 聚合物结构表征 | 第78-79页 |
| 3.3.1.1 聚合物的GPC测试 | 第78-79页 |
| 3.3.1.2 P_1-alt-P_2的有机元素分析 | 第79页 |
| 3.3.2 聚合物的热力学表征 | 第79-80页 |
| 3.3.2.1 聚合物的TGA测试 | 第79页 |
| 3.3.2.2 聚合物的DSC测试 | 第79-80页 |
| 3.3.3 聚合物的光学表征 | 第80-84页 |
| 3.3.3.1 聚合物的POM表征 | 第81-82页 |
| 3.3.3.2 聚合物的紫外测试 | 第82-83页 |
| 3.3.3.3 聚合物的荧光测试 | 第83-84页 |
| 3.3.4 聚合物的XRD测试 | 第84-85页 |
| 3.3.5 聚合物的电化学表征 | 第85-87页 |
| 3.4 本章小结 | 第87-89页 |
| 第四章 菲酰亚胺类盘状液晶材料制备高导电性的纳米结构 | 第89-107页 |
| 4.1 引言 | 第89-90页 |
| 4.2 实验部分 | 第90-93页 |
| 4.2.1 仪器设备 | 第90页 |
| 4.2.2 合成方法方法及样品的制备 | 第90-93页 |
| 4.2.2.1 PBI-Si(OC_2H_5)_3的合成与表征 | 第90-92页 |
| 4.2.2.2 样品的制备 | 第92-93页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第93-105页 |
| 4.3.1 PBI-Si(OC_2H_5)_3自组装 | 第93-96页 |
| 4.3.2 PBI-Si(OC_2H_5)_3自组装机理 | 第96-100页 |
| 4.3.3 PBI-Si(OC_2H_5)_3自组装形成稳定性高的纳米线和纳米片 | 第100-104页 |
| 4.3.4 PBI-Si(OC_2H_5)_3纳米结构导电性能测试 | 第104-105页 |
| 4.4 本章小结 | 第105-107页 |
| 第五章 结论 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 研究成果及发衰的学术论文 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-123页 |
| 作者和导师简介 | 第123-125页 |
| 附件 | 第125-127页 |
