应用于电阻阵列像素单元过驱动技术的研究
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| ·电阻阵红外景象投射器系统概述 | 第10-12页 |
| ·研究需求 | 第12-13页 |
| ·本论文的研究内容及创新点 | 第13页 |
| ·文章结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 过驱动技术及国内外实现方式 | 第15-22页 |
| ·过驱动技术原理 | 第15-17页 |
| ·国外电阻阵过驱动技术的实现方式 | 第17-18页 |
| ·国外过驱动技术实现原理介绍 | 第17-18页 |
| ·国外过驱动技术实现方式的优缺点 | 第18页 |
| ·国内电阻阵过驱动技术实现方式 | 第18-20页 |
| ·国内过驱动技术实现方式介绍 | 第19-20页 |
| ·国内过驱动技术实现方式的优缺点 | 第20页 |
| ·小结 | 第20-22页 |
| 第三章 像素单元过驱动技术 | 第22-29页 |
| ·过驱动的定量描述 | 第22-24页 |
| ·过驱动电路实现波形 | 第24-25页 |
| ·过驱动因子Kod的选取 | 第25-28页 |
| ·过驱动因子Kod与热响应时间tf的关系 | 第26-27页 |
| ·过驱动因子Kod的取值范围 | 第27-28页 |
| ·像素单元面积的限制要求 | 第28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第四章 用于研究像素单元过驱动技术的电路设计 | 第29-43页 |
| ·电路设计的目的 | 第29页 |
| ·电路设计的要求 | 第29-30页 |
| ·电路设计与仿真 | 第30-38页 |
| ·电路结构设计 | 第30-32页 |
| ·MOS驱动管宽长比与Kod的关系分析 | 第32-33页 |
| ·电路参数设计与仿真 | 第33-38页 |
| ·电路版图设计 | 第38-41页 |
| ·版图设计平台与设计规则 | 第38-40页 |
| ·共栅共源管版图 | 第40页 |
| ·PAD版图 | 第40-41页 |
| ·整体电路版图 | 第41页 |
| ·小结 | 第41-43页 |
| 第五章 电路测试 | 第43-49页 |
| ·芯片封装 | 第43-44页 |
| ·芯片性能测试 | 第44-47页 |
| ·芯片性能测试方案 | 第44-46页 |
| ·芯片性能测试结果 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-49页 |
| 第六章 像素单元过驱动技术测试 | 第49-59页 |
| ·测试目的 | 第49-50页 |
| ·测试原理 | 第50-52页 |
| ·微辐射体电阻温度特性测试 | 第52-53页 |
| ·像素单元过驱动技术应用测试 | 第53-58页 |
| ·测试仪器说明 | 第53-54页 |
| ·数据测试 | 第54-57页 |
| ·测试数据结果分析 | 第57-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第七章 总结与展望 | 第59-62页 |
| ·总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第65页 |
