| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·研究背景和现状 | 第8-9页 |
| ·半导体异质结结构的组成与物理特征 | 第9-13页 |
| ·半导体异质结二维电子气的形成 | 第9-10页 |
| ·量子三角形势阱模型 | 第10-11页 |
| ·异质结结构的基本理论 | 第11-13页 |
| ·半导体异质结在器件中的应用 | 第13-15页 |
| ·在集成电路中的应用 | 第13-14页 |
| ·在太阳能电池中的应用 | 第14-15页 |
| ·在发光器件中的应用 | 第15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 纳米硅/晶体硅异质结高电子迁移率晶体管的输出特性 | 第16-27页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结 HEMT 的模型 | 第16-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-26页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结界面态对 HEMT 输出特性的影响 | 第22-23页 |
| ·纳米硅的颗粒尺寸对 HEMT 输出特性的影响 | 第23-25页 |
| ·纳米硅/单晶硅异质结界面态对 HEMT 跨导的影响 | 第25-26页 |
| ·结论 | 第26-27页 |
| 第三章 非晶硅/纳米硅叠层双结太阳电池 | 第27-36页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·非晶硅/纳米硅叠层双结太阳电池的模型 | 第27-31页 |
| ·非晶硅/纳米硅叠层双结电池的顶、底电池的本征层厚度对电池性能的影响 | 第31页 |
| ·复合层的厚度和缺陷态密度对电池特性的影响 | 第31-32页 |
| ·n1/p2 层掺杂浓度对电池性能的影响 | 第32-33页 |
| ·非晶硅/纳米硅叠层双结太阳电池的能带图、复合曲线及伏安曲线 | 第33-35页 |
| ·结论 | 第35-36页 |
| 第四章 硅基量子点中间带太阳电池 | 第36-50页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·电池的模型与计算 | 第37-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第五章 总结与展望 | 第50-52页 |
| ·总结 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第58页 |
