| 摘要 | 第1-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 符号说明 | 第14-15页 |
| 第一章 引言 | 第15-20页 |
| ·半导体材料的发展 | 第15页 |
| ·AlInN/GaN异质结的研究进展 | 第15-16页 |
| ·GaN薄膜的性质 | 第16-17页 |
| ·结构性质 | 第16-17页 |
| ·GaN材料物理、化学及电学性质 | 第17页 |
| ·AlInN薄膜的性质 | 第17-19页 |
| ·晶体结构 | 第17-18页 |
| ·AlInN材料物理、化学及电学性质 | 第18页 |
| ·AlInN薄膜的研究难点 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究内容及安排 | 第19-20页 |
| 第二章 Al_(1-x)In_xN薄膜的制备方法及表征手段 | 第20-29页 |
| ·Al_(1-x)In_xN薄膜的制备方法 | 第20-25页 |
| ·液相外延法 | 第20页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第20-21页 |
| ·溅射镀膜 | 第21-22页 |
| ·离子镀膜 | 第22页 |
| ·化学气相沉积法 | 第22-25页 |
| ·AlInN薄膜性质的表征方法 | 第25-29页 |
| ·晶体结构测试分析 | 第25页 |
| ·晶体成分测试分析 | 第25-26页 |
| ·薄膜表面形貌测试分析 | 第26-27页 |
| ·拉曼光谱 | 第27-29页 |
| 第三章 MOCVD法的镀膜原理及制备过程 | 第29-33页 |
| ·MOCVD系统 | 第29-30页 |
| ·薄膜的制备 | 第30-33页 |
| ·实验前的准备工作 | 第30-31页 |
| ·薄膜制备的实验过程 | 第31-33页 |
| 第四章 MOCVD法制备GaN薄膜的研究 | 第33-41页 |
| ·缓冲层时间对GaN薄膜生长的影响 | 第33-37页 |
| ·反应温度对GaN薄膜性质的影响 | 第37-38页 |
| ·不同Ⅴ-Ⅲ族比例对GaN薄膜性质的影响 | 第38-41页 |
| 第五章 MOCVD法制备高In组分Al_(1-x)In_xN薄膜的研究 | 第41-47页 |
| ·生长温度对高In含量的Al_(1-x)In_xN薄膜性质的影响 | 第41-43页 |
| ·不同Ⅲ族有机源比例对Al_(1-x)In_xN薄膜性质的影响 | 第43-47页 |
| ·不同Ⅲ族有机源流量比对薄膜结构的影响 | 第44-45页 |
| ·不同Ⅲ族有机源流量比对薄膜组分的影响 | 第45-47页 |
| 第六章 MOCVD法制备AlInN/GaN异质结的研究 | 第47-67页 |
| ·氮化对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结性质的影响 | 第47-52页 |
| ·氮化对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·氮化对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜应力的影响 | 第51-52页 |
| ·生长温度对Al1_xInxN/GaN异质结性质的影响 | 第52-56页 |
| ·生长温度对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜组分的影响 | 第52-53页 |
| ·生长温度对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结表面形貌的影响 | 第53-55页 |
| ·生长温度对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜应力的影响 | 第55-56页 |
| ·Ⅴ-Ⅲ族比例对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结性质的影响 | 第56-61页 |
| ·不同Ⅴ-Ⅲ族比例对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜组分的影响 | 第57-58页 |
| ·不同Ⅴ-Ⅲ族比例对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜表面形貌的影响 | 第58-60页 |
| ·不同Ⅴ-Ⅲ族比例对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜应力的影响 | 第60-61页 |
| ·有机金属源比例对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结性质的影响 | 第61-67页 |
| ·不同Ⅲ族有机金属源流量比对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜组分的影响 | 第62-63页 |
| ·不同Ⅲ族有机金属源流量比对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜表面形貌的影响 | 第63-65页 |
| ·不同Ⅲ族有机金属源流量比对Al_(1-x)In_xN/GaN异质结薄膜应力的影响 | 第65-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第72页 |
