| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 前言 | 第6-7页 |
| 第一章： 掺杂原子的扩散 | 第7-14页 |
| 一、 替位掺杂原子的扩散机制 | 第7-8页 |
| 二、 磷的异常扩散和基区陷落 | 第8-9页 |
| 三、 扩散失配位错 | 第9-12页 |
| 3．1 理论模型 | 第9-11页 |
| 3．2 扩散失配位错的基本研究结果 | 第11-12页 |
| 3．3 应变补偿扩散 | 第12页 |
| 四、 小结 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章： 硅片的热氧化 | 第14-23页 |
| 一、 Deal-Grove模型 | 第14-16页 |
| 二、 影响硅片氧化速度的因素 | 第16-18页 |
| 三、 氧化诱生层错（OSF）和氧化增强扩散（OED） | 第18-20页 |
| 3．1 氧化过程中自间隙硅原子的产生 | 第19页 |
| 3．2 氧化诱生层错 | 第19-20页 |
| 3．3 氧化增强扩散和氧化抑制扩散 | 第20页 |
| 四、 小结 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-23页 |
| 第三章： 直拉硅单晶中的氮 | 第23-30页 |
| 一、 抑制微缺陷和Void的形成 | 第23页 |
| 二、 促进氧沉淀 | 第23-24页 |
| 三、 钉扎位错提高硅片的机械强度 | 第24-26页 |
| 四、 氮氧复合体 | 第26-28页 |
| 五、 氮对CZ硅中热施主（TD）和新施主（NTD）形成的影响 | 第28页 |
| 六、 小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第四章： 工艺诱生缺陷对功率器件特性的影响 | 第30-34页 |
| 一、 影响硅片电阻率稳定性的因素 | 第30-31页 |
| 二、 氧沉淀对器件特性的影响 | 第31-32页 |
| 三、 位错和层错对器件特性的影响 | 第32页 |
| 四、 小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第五章： 微氮硅单晶的研究 | 第34-41页 |
| 一、 简介 | 第34页 |
| 二、 实验 | 第34-35页 |
| 三、 实验结果和讨论 | 第35-39页 |
| 3．1 氮气保护下生长的硅单晶中氮含量的估计 | 第36-37页 |
| 3．2 氮气保护对原生硅片中热施主浓度没有影响 | 第37页 |
| 3．3 氮气保护在原生态硅单晶中引入3~7×10~（13）cm~（-3）N-O施主 | 第37页 |
| 3．4 氮气保护对硅单晶中磷和间隙氧分布的影响 | 第37-38页 |
| 3．5 氮掺杂对间隙氧沉淀行为的影响 | 第38-39页 |
| 四、 结论 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第六章： 微氮硅单晶在二极管工艺过程中的工艺诱生缺陷的研究 | 第41-51页 |
| 一、 简介 | 第41-42页 |
| 二、 实验 | 第42页 |
| 三、 实验结果和讨论 | 第42-49页 |
| 3．1 二极管工艺过程中的氧沉淀的行为 | 第42-46页 |
| 3．2 NCZ硅单晶中的层错 | 第46-47页 |
| 3．3 NCZ硅单晶中的位错 | 第47-49页 |
| 3．4 在二极管工艺热过程中，硅片电阻率的变化 | 第49页 |
| 四、 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-51页 |
| 第七章： 微氮掺杂对二极管器件特性的影响 | 第51-59页 |
| 一、 简介 | 第51页 |
| 二、 实验 | 第51-52页 |
| 三、 实验结果和讨论 | 第52-57页 |
| 3．1 氮掺杂对二极管反向击穿电压的影响 | 第52-54页 |
| 3．2 氮掺杂对二极管反向恢复时间的影响 | 第54-57页 |
| 3．3 氮掺杂对二极管的正向导通电压的影响 | 第57页 |
| 四、 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第八章： 微氮硅单晶在开关晶体管中的应用研究 | 第59-75页 |
| 一、 简介 | 第59-60页 |
| 二、 实验 | 第60-62页 |
| 三、 实验结果和讨论 | 第62-73页 |
| 3．1 主扩散工艺后的缺陷分析 | 第62-67页 |
| 3．2 主扩氧化后的缺陷分析 | 第67-69页 |
| 3．3 一次氧化（基区扩散掩蔽氧化膜）后的缺陷分析 | 第69页 |
| 3．4 基区、发射区扩散后器件工作区的缺陷分析 | 第69-71页 |
| 3．5 微氮硅单晶制成的开关晶体管的存储时间的研究 | 第71-73页 |
| 四、 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
