氧化铜—锆复合膜的制备与性能表征研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-11页 |
| ·传统电火工品的桥材料 | 第8页 |
| ·桥材料的薄膜制备技术 | 第8-10页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第10-11页 |
| 2 薄膜的制备 | 第11-25页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第11-14页 |
| ·溅射的基本原理 | 第11-12页 |
| ·溅射的机理和过程 | 第12-13页 |
| ·溅射率 | 第13页 |
| ·磁控溅射 | 第13-14页 |
| ·真空镀膜实验设备 | 第14-16页 |
| ·设备性能 | 第14-15页 |
| ·操作步骤 | 第15-16页 |
| ·实验材料 | 第16-17页 |
| ·金属Zr薄膜的制备 | 第17-20页 |
| ·实验工艺条件的选择 | 第17页 |
| ·样品的制备 | 第17-18页 |
| ·样品的形貌 | 第18-20页 |
| ·CuO薄膜的制备 | 第20-24页 |
| ·实验工艺条件的选择 | 第20-21页 |
| ·样品的制备 | 第21-22页 |
| ·样品的形貌 | 第22-24页 |
| ·复合膜的制备 | 第24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 3 薄膜制备的工艺条件研究 | 第25-40页 |
| ·薄膜厚度的测量 | 第25页 |
| ·方块电阻的测量 | 第25-29页 |
| ·连续金属薄膜的导电性质 | 第26-27页 |
| ·方块电阻的测试原理 | 第27-29页 |
| ·金属Zr薄膜的制备工艺条件研究 | 第29-35页 |
| ·金属Zr薄膜样品的物理参数及沉积速率 | 第29-30页 |
| ·工艺条件与沉积速率的关系 | 第30-33页 |
| ·工作压强与沉积速率的关系 | 第30-32页 |
| ·溅射功率与沉积速率的关系 | 第32-33页 |
| ·工艺条件与电阻率的关系 | 第33-35页 |
| ·工作压强与电阻率的关系 | 第33-34页 |
| ·溅射功率与电阻率的关系 | 第34-35页 |
| ·CuO薄膜的制备工艺条件研究 | 第35-38页 |
| ·CuO膜样品的物理参数及沉积速率 | 第35-36页 |
| ·工作总压强与沉积速率的关系 | 第36页 |
| ·氧气分压强与沉积速率的关系 | 第36-37页 |
| ·溅射功率与沉积速率的关系 | 第37-38页 |
| ·最佳工艺条件 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 4 薄膜的结构表征 | 第40-47页 |
| ·薄膜表面形貌的SEM分析 | 第40-41页 |
| ·薄膜的EDS分析 | 第41-44页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 5 复合膜反应光声光谱研究 | 第47-66页 |
| ·光声光谱的基本原理 | 第47-50页 |
| ·圆柱形光声池中光声信号的推导 | 第47-49页 |
| ·声的激发 | 第49-50页 |
| ·反应性光声光谱原理 | 第50-54页 |
| ·反应性光声光谱原理 | 第50-51页 |
| ·固体化学反应光声模型 | 第51-53页 |
| ·反应性光声光谱的实验装置 | 第53-54页 |
| ·CuO-Zr复合膜的光声光谱的检测分析 | 第54-65页 |
| ·不同激光能量下的光声谱图 | 第54-59页 |
| ·相同激光能量下的光声谱图 | 第59-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 6 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
