| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-14页 |
| ·研究背景 | 第7-9页 |
| ·研究现状 | 第9-11页 |
| ·论文的主要工作和贡献 | 第11-12页 |
| ·论文组织结构 | 第12-13页 |
| ·参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 射频识别系统的物理基础 | 第14-32页 |
| ·超高频射频识别系统的物理基础 | 第14-20页 |
| ·天线 | 第14-15页 |
| ·电磁场理论 | 第15-17页 |
| ·超高频射频识别系统的能量传输 | 第17-19页 |
| ·超高频射频识别系统的信号传输 | 第19-20页 |
| ·超高频射频识别系统的数据编码和调制方式 | 第20-23页 |
| ·超高频射频识别系统的抗冲突算法 | 第23-25页 |
| ·超高频射频识别系统的安全 | 第25-26页 |
| ·频率分配与现有标准分析 | 第26-29页 |
| ·小结 | 第29-30页 |
| ·参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 超高频射频识别标签系统及性能优化分析 | 第32-51页 |
| ·超高频射频识别标签系统架构分析 | 第32-43页 |
| ·标签天线 | 第33-34页 |
| ·阻抗匹配网络 | 第34-37页 |
| ·射频前端 | 第37-40页 |
| ·模拟前端 | 第40-42页 |
| ·数字基带处理器 | 第42-43页 |
| ·EEPROM存储器 | 第43页 |
| ·评估超高频射频识别标签的性能指标 | 第43-48页 |
| ·阅读距离 | 第43-45页 |
| ·识别速率 | 第45-47页 |
| ·识别率 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| ·参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 应用于超高频标签芯片的亚阈值技术研究 | 第51-71页 |
| ·CMOS集成电路功耗简介 | 第51-54页 |
| ·亚阈值电路工作机理 | 第54-58页 |
| ·晶体管的亚阈值工作区 | 第54-56页 |
| ·亚阈值电路性能分析 | 第56-58页 |
| ·亚阈值标准单元库的设计 | 第58-65页 |
| ·标准单元库的分析 | 第58-60页 |
| ·基于工艺的亚阈值单元分析 | 第60-61页 |
| ·亚阈值漏电的影响 | 第61-63页 |
| ·D触发器电路设计实例 | 第63-65页 |
| ·亚阈值标准单元库简介 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| ·参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 标准 CMOS工艺超低功耗 EEPROM研究 | 第71-94页 |
| ·EEPROM单元简介 | 第71-79页 |
| ·非挥发性存储器单元工作机理 | 第71-73页 |
| ·传统 EEPROM单元简介 | 第73-75页 |
| ·标准 CMOS工艺 EEPROM单元设计 | 第75-79页 |
| ·EEPROM架构设计 | 第79-80页 |
| ·EEPROM电路关键模块设计 | 第80-92页 |
| ·传统电荷泵 | 第80-82页 |
| ·新型全 PMOS电荷泵 | 第82-89页 |
| ·敏感放大器设计 | 第89-91页 |
| ·其他外围电路设计 | 第91-92页 |
| ·小结 | 第92页 |
| ·参考文献 | 第92-94页 |
| 第六章 低功耗超高频标签芯片的设计与测试 | 第94-111页 |
| ·低功耗亚阈值标签芯片的设计与测试 | 第94-106页 |
| ·射频/模拟前端电路设计 | 第96-102页 |
| ·数字基带电路设计 | 第102-103页 |
| ·版图及测试结果 | 第103-106页 |
| ·2-K bits低功耗 EEPROM的设计与测试 | 第106-109页 |
| ·EEPROM电路设计 | 第106-107页 |
| ·版图及测试结果 | 第107-109页 |
| ·小结 | 第109-110页 |
| ·参考文献 | 第110-111页 |
| 第七章 总结与展望 | 第111-113页 |
| ·总结 | 第111-112页 |
| ·展望 | 第112-113页 |
| 附录 I Library Compiler的使用 | 第113-121页 |
| I.1 Library Compiler的简介 | 第113-114页 |
| I.2 工艺库建库步骤 | 第114页 |
| I.3 ApolloII标准单元库 | 第114-117页 |
| I.4 延时模型和延时计算 | 第117-121页 |
| 附录II EEPROM时序 | 第121-123页 |
| 致谢 | 第123-124页 |