| 论文摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACTS | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-27页 |
| 第一节 GaN的结构和性质 | 第10-14页 |
| 第二节 GaN薄膜的生长 | 第14-22页 |
| 第三节 GaN基发光二极管 | 第22-27页 |
| 第二章 常用分析方法 | 第27-30页 |
| 扫描电镜 | 第27页 |
| X射线衍射分析(XRD) | 第27-28页 |
| 原子力显微镜(AFM)分析 | 第28-30页 |
| 第三章 ITO作为透明导电层的GaN基LED芯片的制备 | 第30-36页 |
| 第一节 引言 | 第30-31页 |
| 第二节 实验方法 | 第31-32页 |
| 第三节 实验结果与分析 | 第32-35页 |
| 第四节 小结 | 第35-36页 |
| 第四章 ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制备 | 第36-43页 |
| 第一节 引言 | 第36-37页 |
| 第二节 实验方法 | 第37-38页 |
| 第三节 实验结果与分析 | 第38-42页 |
| 第四节 小结 | 第42-43页 |
| 第五章 通过P型GaN表面的粗化提高GaN基LED的性能 | 第43-47页 |
| 第一节 引言 | 第43页 |
| 第二节 实验方法 | 第43-44页 |
| 第三节 实验结果与分析 | 第44-46页 |
| 第四节 小结 | 第46-47页 |
| 第六章 全文总结 | 第47-48页 |
| 附录:读硕士期间发表的论文和申请的专利 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51页 |