气相提拉法生长CdSe单晶体及其性能表征
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 引言 | 第8-24页 |
| ·晶体生长方法概述 | 第8-11页 |
| ·溶液生长法 | 第8-9页 |
| ·熔体生长法 | 第9-10页 |
| ·气相生长法 | 第10页 |
| ·微重力场下的晶体生长 | 第10-11页 |
| ·晶体生长过程模拟与实验观察 | 第11-12页 |
| ·Monte carlo模拟 | 第11-12页 |
| ·生长基元结合能计算 | 第12页 |
| ·晶体生长过程实时观察 | 第12页 |
| ·晶体生长理论基础 | 第12-18页 |
| ·晶体平衡形态理论 | 第13-15页 |
| ·Bravais法则 | 第13页 |
| ·Gibbs-Wulff晶体生长定律 | 第13-14页 |
| ·Frank运动学理论 | 第14-15页 |
| ·界面生长理论 | 第15-16页 |
| ·界面结构模型及生长动力学 | 第15-16页 |
| ·粗糙化相变理论 | 第16页 |
| ·PBC理论 | 第16-18页 |
| ·硒化镉单晶体的研究进展 | 第18-22页 |
| ·论文选题思路和研究内容 | 第22-24页 |
| 2 硒化镉单晶体的生长 | 第24-41页 |
| ·硒化镉(CdSe)晶体概述 | 第24-26页 |
| ·硒化镉单晶的生长方法 | 第26-29页 |
| ·CdSe单晶生长的成核过程 | 第29-31页 |
| ·CdSe单晶生长理论分析 | 第31-34页 |
| ·双温区气相提拉法生长CdSe单晶体 | 第34-36页 |
| ·CdSe原料的提纯 | 第36-39页 |
| ·原料的差热分析 | 第36-37页 |
| ·提纯安瓿的设计及提纯实验 | 第37-39页 |
| ·CdSe单晶的生长实验 | 第39-41页 |
| ·生长安瓿的设计 | 第39页 |
| ·单晶生长实验 | 第39-41页 |
| 3 CdSe单晶体的性能表征 | 第41-49页 |
| ·XRD测试分析 | 第41-42页 |
| ·介电常数 | 第42-43页 |
| ·红外透过率测试 | 第43-45页 |
| ·紫外吸收 | 第45-46页 |
| ·位错蚀坑观察 | 第46-47页 |
| ·I-V测试 | 第47-48页 |
| ·CdSe探测器能谱测试 | 第48-49页 |
| 4 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 攻硕期间发表文章及参研项目 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
