| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1-1 气敏技术发展现状以及前景 | 第8-10页 |
| 1-1-1 国外气敏技术发展现状和前景 | 第8页 |
| 1-1-2 国内气敏技术研究现状与差距 | 第8-9页 |
| 1-1-3 国内市场需求与展望 | 第9-10页 |
| 1-2 金属氧化物薄膜型气敏传感器研究进展 | 第10-13页 |
| 1-2-1 SnO_2 薄膜气敏特性及其研究进展 | 第10-12页 |
| 1-2-2 ZnO 薄膜气敏特性及其研究进展 | 第12-13页 |
| 1-2-3 TiO_2 薄膜气敏特性及其研究进展 | 第13页 |
| 1-3 本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 薄膜理论及制备方法 | 第15-23页 |
| 2-1 薄膜的性质 | 第15-16页 |
| 2-2 薄膜的结构与缺陷 | 第16-17页 |
| 2-2-1 薄膜的结构 | 第16-17页 |
| 2-2-2 薄膜的缺陷 | 第17页 |
| 2-3 薄膜的生长 | 第17-19页 |
| 2-4 常用薄膜淀积技术 | 第19-20页 |
| 2-4-1 物理汽相淀积 | 第19页 |
| 2-4-2 化学汽相淀积 | 第19-20页 |
| 2-4-3 热氧化法 | 第20页 |
| 2-4-4 电镀法 | 第20页 |
| 2-4-5 物理淀积 | 第20页 |
| 2-5 直流磁控反应溅射技术及其特点 | 第20-23页 |
| 第三章 气敏特性测试系统 | 第23-25页 |
| 第四章 掺杂TiO_2的SiO_2 薄膜气敏元件的制备 | 第25-32页 |
| 4-1 掺杂TiO_2的SiO_2 薄膜的制备 | 第25页 |
| 4-2 溅射工艺对薄膜质量的影响 | 第25-28页 |
| 4-2-1 溅射总气压对薄膜质量的影响 | 第25-26页 |
| 4-2-2 O_2/Ar 对SiO_2 薄膜质量的影响 | 第26-27页 |
| 4-2-3 溅射靶电压对薄膜质量的影响 | 第27页 |
| 4-2-4 靶与基板之间距离对SiO_2 薄膜的影响 | 第27页 |
| 4-2-5 退火温度对SiO_2 薄膜的影响 | 第27-28页 |
| 4-3 掺杂TiO_2的SiO_2 薄膜的气敏测试结果 | 第28-32页 |
| 4-3-1 不同的掺杂时间下的灵敏度 | 第28-29页 |
| 4-3-2 不同的加热电压对灵敏度的影响 | 第29-30页 |
| 4-3-3 对不同气体的选择性测试 | 第30页 |
| 4-3-4 不同气体浓度下对丙酮的灵敏度 | 第30-32页 |
| 第五章 高选择性NH3 气体敏感薄膜的制备 | 第32-37页 |
| 5-1 气敏薄膜的制备 | 第32页 |
| 5-2 薄膜结构分析 | 第32-33页 |
| 5-3 气敏特性分析 | 第33-35页 |
| 5-3-1 测试不同退火温度下对不同气体的灵敏度 | 第33页 |
| 5-3-2 不同加热电压下对氨气的灵敏度、响应恢复时间 | 第33-34页 |
| 5-3-3 选择性测试 | 第34-35页 |
| 5-3-4 不同浓度下氨气的灵敏度 | 第35页 |
| 5-4 气敏机理讨论 | 第35-37页 |
| 第六章 气敏元件结构设计及气敏性失效分析 | 第37-43页 |
| 6-1 半导体气敏元件的分类及模型 | 第37-38页 |
| 6-2 气敏元件的结构特点 | 第38-40页 |
| 6-3 气敏元件失效分析 | 第40-43页 |
| 第七章 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第48页 |
