| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-12页 |
| ·背景 | 第9-11页 |
| ·本论文的主要工作 | 第11页 |
| ·论文纲要 | 第11-12页 |
| 第二章 基本光刻模拟技术 | 第12-32页 |
| ·光学系统模拟 | 第12-22页 |
| ·光学系统模拟概述 | 第12页 |
| ·衍射 | 第12-16页 |
| ·接触式/接近式光刻过程 | 第16-17页 |
| ·接触式光学系统模拟 | 第17-18页 |
| ·投影式光刻系统 | 第18-19页 |
| ·投影式光学系统的基本模拟 | 第19-20页 |
| ·用MAXWELL方程求解复杂掩模结构的光成像方法简介 | 第20-22页 |
| ·光刻胶的基本模拟技术 | 第22-31页 |
| ·光刻胶的性质及分类 | 第22-24页 |
| ·曝光模型 | 第24-27页 |
| ·曝光后延迟模型 | 第27-28页 |
| ·后烘模型 | 第28-29页 |
| ·显影速率模型 | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 SU-8 胶简介 | 第32-39页 |
| ·SU-8 胶的产品及成份 | 第32页 |
| ·SU-8 胶的分子结构及工艺过程中的物理与化学反应 | 第32-38页 |
| ·基片预处理 | 第33页 |
| ·涂胶 | 第33-34页 |
| ·前烘 | 第34页 |
| ·一次旋涂并前烘、多次旋涂并前烘 | 第34-35页 |
| ·曝光 | 第35-37页 |
| ·后烘 | 第37-38页 |
| ·显影 | 第38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 SU-8 胶接触式UV光刻模拟的建模 | 第39-50页 |
| ·曝光模型 | 第40-42页 |
| ·后烘模型 | 第42-44页 |
| ·显影模型 | 第44-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 SU-8 胶的模拟程序的实现与结果 | 第50-74页 |
| ·软件模块 | 第50-53页 |
| ·曝光模块算法及软件流程 | 第53-55页 |
| ·后烘模块算法及软件流程 | 第55-60页 |
| ·显影模块算法及软件流程 | 第60-63页 |
| ·模拟结果与试验对照 | 第63-73页 |
| ·试验说明 | 第63-64页 |
| ·模拟结果与试验对比 | 第64-73页 |
| ·对比结论 | 第73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结束语 | 第74-76页 |
| ·总结 | 第74页 |
| ·存在问题及改进意见 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 附录 C/C++程序源文件 | 第80-93页 |
| 作者简介 | 第93页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第93-94页 |
| 致谢 | 第94页 |