| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究背景及意义 | 第10-13页 |
| ·课题来源及主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 靶材及薄膜材料制备 | 第14-40页 |
| ·靶材的制备与分析 | 第14-25页 |
| ·固相烧结反应法 | 第14-20页 |
| ·块体靶材的制备 | 第20-21页 |
| ·块体靶材的x射线衍射分析 | 第21-25页 |
| ·薄膜材料的制备 | 第25-40页 |
| ·PLD薄膜生长技术简介 | 第25-27页 |
| ·激光与固体靶作用生成等离子体 | 第27-28页 |
| ·等离子体的空间膨胀过程 | 第28-29页 |
| ·薄膜生长理论 | 第29-32页 |
| ·PLD的几个研究热点 | 第32-34页 |
| ·CMR薄膜的制备及光电导器件制作 | 第34-40页 |
| 第三章 CMR薄膜材料的特性及实验分析 | 第40-70页 |
| ·钙钛矿锰氧化物的结构 | 第40-46页 |
| ·晶体结构 | 第40-41页 |
| ·磁结构 | 第41-43页 |
| ·电子结构 | 第43-44页 |
| ·导电性能 | 第44-46页 |
| ·钙钛矿锰氧化物CMR效应的物理机制 | 第46-50页 |
| ·双交换作用机制 | 第46-47页 |
| ·Jahn-Teller畸变 | 第47-48页 |
| ·极化子理论 | 第48-49页 |
| ·低场磁电阻效应的物理机制 | 第49-50页 |
| ·影响CMR效应的几个因素 | 第50-54页 |
| ·氧含量对CMR效应的影响 | 第50-51页 |
| ·衬底温度对CMR效应的影响 | 第51-53页 |
| ·A位离子替代对CMR效应的影响 | 第53页 |
| ·外磁场对CMR效应的影响 | 第53-54页 |
| ·薄膜的X射线衍射分析 | 第54-56页 |
| ·薄膜的X射线光电子能谱分析 | 第56-59页 |
| ·薄膜的表面分析 | 第59-62页 |
| ·薄膜的电阻-温度特性 | 第62-65页 |
| ·La_(1/3)(Ca_(2/3)Sr_(1/3))_(2/3)MO_3薄膜的电阻-温度特性 | 第62-64页 |
| ·La_(1/3)(Ca_(2/3)Sr_(1/3))_(2/3)MnO_3薄膜磁电阻效应 | 第64页 |
| ·A位离子半径对材料电输运特性的影响 | 第64-65页 |
| ·La_(1/3)(Ca_(2/3)Sr_(1/3))_(2/3)MnO_3薄膜光电特性 | 第65-70页 |
| 第四章 激光辐照靶材的数值分析 | 第70-86页 |
| ·脉冲激光辐照下材料的热/力学效应 | 第70-74页 |
| ·脉冲激光束辐照下材料的热效应 | 第70-71页 |
| ·脉冲激光束辐照下材料的热应力效应 | 第71-74页 |
| ·ANSYS数值分析 | 第74-77页 |
| ·有限元基本概念和原理 | 第74-76页 |
| ·ANSYS软件热分析功能 | 第76-77页 |
| ·ANSYS软件热分析在PLD技术数值分析中的应用 | 第77-86页 |
| ·数值分析的相关参数 | 第77-78页 |
| ·激光源的加载 | 第78-79页 |
| ·分析步骤 | 第79-86页 |
| 第五章 PLD薄膜生长的数值模拟 | 第86-120页 |
| ·等离子体羽辉的产生和空间输运过程分析 | 第86-98页 |
| ·理论模型 | 第86-88页 |
| ·数值模拟 | 第88-97页 |
| ·结论 | 第97-98页 |
| ·薄膜生长模拟简介 | 第98-105页 |
| ·基本理论方法 | 第98-100页 |
| ·密度泛函理论及势能面的计算 | 第100-103页 |
| ·动力学蒙特卡罗方法(KMC) | 第103-104页 |
| ·KMC方法在表面生长研究中的应用 | 第104-105页 |
| ·薄膜生长的模型 | 第105-106页 |
| ·基于硅衬底的铜薄膜生长模拟 | 第106-120页 |
| ·基于Microsoft.NET平台的数据存储分析方法 | 第106-111页 |
| ·薄膜生长模拟程序简介 | 第111-112页 |
| ·模拟效果 | 第112-114页 |
| ·实验比较 | 第114-120页 |
| 第六章 总结与展望 | 第120-124页 |
| 参考文献 | 第124-132页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及参与科研情况 | 第132-134页 |
| 致谢 | 第134-135页 |
