| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 前言 | 第7-18页 |
| ·ZnO 薄膜的基本性能 | 第7-8页 |
| ·ZnO 薄膜的光电性能 | 第7页 |
| ·ZnO 薄膜的压电性能 | 第7页 |
| ·ZnO 薄膜的气敏性能 | 第7-8页 |
| ·ZnO 薄膜的压敏性质 | 第8页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第8-14页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第8-9页 |
| ·分子束外延(MEB) | 第9-10页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第10-11页 |
| ·溶胶-凝胶法(SOL-GEL) | 第11-13页 |
| ·电子束蒸发沉积 | 第13页 |
| ·喷雾热分解法 | 第13页 |
| ·射频溅射法 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第14-18页 |
| ·压电器件 | 第14-15页 |
| ·太阳能电池 | 第15-16页 |
| ·气敏元件 | 第16页 |
| ·压敏器件 | 第16页 |
| ·紫外探测器 | 第16-17页 |
| ·发光器件 | 第17-18页 |
| 2 课题的提出及研究内容 | 第18-21页 |
| ·课题的提出 | 第18-19页 |
| ·课题的研究内容 | 第19-21页 |
| ·用SILAR 法制备ZnO 多晶薄膜 | 第19-20页 |
| ·用直接沉淀法制备ZnO 纳米粉末 | 第20-21页 |
| 3 ZnO 多晶薄膜的制备 | 第21-27页 |
| ·实验药品及设备 | 第21页 |
| ·实验药品 | 第21页 |
| ·实验设备 | 第21页 |
| ·方案设计及实验过程 | 第21-27页 |
| ·方案设计 | 第21-23页 |
| ·实验过程 | 第23-24页 |
| ·测试方法与表征手段 | 第24-26页 |
| ·实验流程示意图 | 第26-27页 |
| 4 ZnO 多晶薄膜的表征与分析 | 第27-40页 |
| ·对ZnO 薄膜在衬底上的形核的理论分析 | 第27-28页 |
| ·工艺参数对ZnO 多晶薄膜质量的影响 | 第28-34页 |
| ·衬底表面状态对组织结构的影响 | 第29页 |
| ·反应温度对薄膜质量的影响 | 第29-30页 |
| ·[Zn~(2+)]/NH_3·H_2O 摩尔浓度比对薄膜质量的影响 | 第30-32页 |
| ·前驱体[Zn（NH_3）_4]~(2+)浓度对薄膜质量的影响 #25 | 第32-33页 |
| ·杂质对薄膜质量的影响 | 第33-34页 |
| ·工艺参数优化后的ZnO 多晶薄膜的表征分析 | 第34-37页 |
| ·ZnO 多晶薄膜XRD 结果表征与分析 | 第34-35页 |
| ·ZnO 多晶薄膜SEM 结果表征与分析 | 第35页 |
| ·ZnO 多晶薄膜的光致发光(PL)谱 | 第35-36页 |
| ·ZnO 多晶薄膜的透射光谱 | 第36-37页 |
| ·退火温度对ZnO 薄膜性能的影响 | 第37-39页 |
| ·退火温度对ZnO组织结构的影响 | 第37-39页 |
| ·退火温度对ZnO电学性能的影响 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 ZnO纳米粉末的制备及表征分析 | 第40-48页 |
| ·ZnO纳米粉末的制备 | 第40-41页 |
| ·实验药品及设备 | 第40页 |
| ·实验过程 | 第40-41页 |
| ·实验流程示意图 | 第41页 |
| ·直接沉淀法的机理分析 | 第41-42页 |
| ·影响晶粒生长的因数 | 第41-42页 |
| ·晶核生长速率 | 第42页 |
| ·晶体生长速率 | 第42页 |
| ·ZnO 纳米粉末的表征与分析 | 第42-45页 |
| ·ZnO 纳米粉末的XRD 分析 | 第42-44页 |
| ·ZnO 纳米粉末SEM 分析 | 第44页 |
| ·两种不同原料制备制备的样品分析 | 第44-45页 |
| ·工艺参数对 ZnO 纳米粉末的影响 | 第45-47页 |
| ·不同 ZnCl_2溶液浓度对ZnO 晶粒的影响 | 第45-46页 |
| ·不同焙烧温度对 ZnO 晶粒的影响 | 第46页 |
| ·不同工艺过程对组织的影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 6 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 致谢 | 第52页 |